切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 104阅读
    • 0回复

    [技术]CIGS太阳能电池中的吸收 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    6922
    光币
    28760
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 05-12
    摘要 nL&[R}@W  
    [V.#w|n  
    Y'2 |GJc2  
    _9b;8%? Yf  
    太阳能电池是可再生能源领域的一种基础技术。为了优化效率,大多数常见的设计使用薄膜结构和具有高吸收系数的介质——因为正是这种吸收的光能最终会转化为电流。基于铜铟硒化镓(CIGS)的太阳能电池,与基于其他材料的电池相比,它们可以变得更薄而不损失吸收效率,因此已经很普遍地使用了。 /FA0(< -}  
    p*" H&xA@  
    建模任务 H6]z98  
    S(h+,+289  
    300nm~1100nm的平面波均匀光谱 I]Jz[{~1  
    p>GxSE)  
    系统来源:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566 2 1]8 7$  
    uvj`r5ei  
    探测器 m8<l2O=m  
    8iwqy0<  
    功率(吸收功率将通过两个探测器的功率读数之差计算) N?krlR  
    rP7f~"L  
    太阳能电池 eU.HS78  
    XKepk? E  
    O #S27.  
    *我们假设太阳能电池是由一层带有防反射涂层的熔融石英保护的。 '"14(BvW  
    $oU40HA)W]  
    系统构建模块-分层的介质组件 eNw9"X}g  
    D\i8WU  
    !L_\6;aP,x  
    对于涂有涂层的反射镜,我们使用分层介质组件,因为它为x和y方向不变的膜层堆栈提供了一个快速和严格的解决方案。 gl~>MasV&  
    [agp06 $D?  
    系统构建模块-膜层矩阵求解器 Q,z^eMk'd:  
    分层介质组件采用膜层矩阵电磁场求解器。该求解器在空间频域(k域)中工作。它包括: BX=YS)  
    每个均质层的特征值求解器。 !/Wp0E'A  
    一个用于所有界面上的匹配边界条件的s矩阵。 1Ydym2  
    Y1Qg|U o  
    特征值求解器计算每层均匀介质在k域内的电场解。s-矩阵算法通过递归匹配边界条件来计算整个膜层系统的响应。这是一种以其无条件数值稳定性而闻名的方法,因为与传统的传递矩阵不同,它避免了计算步骤中的指数增长函数。 U k*HRudt  
    ?oO<PR}y  
    V[T`I a\  
    更多信息: 3G)Wmmh"a  
    层矩阵(S矩阵) NRgNW1#  
    dwAFJhgh  
    系统构建模块-已采样的介质 *Af:^>mh  
    {(MC]]'?  
    &?mJL0fy  
    VirtualLabFusion提供一个不同材料的综合目录,可以用于膜层。也可以从测量数据中导入材料数据。 m}dO\;  
    ;.4A,7w#  
    系统构建模块-探测   G 0;5I_D/  
    ">^O{X\  
    'Bv)UfZ  
    总结——组件 l3C%`[MB  
    }^ np  
    ee|i  
    2po>%Cp  
    对不同厚度的CIGS层的吸收情况 Eax^1 |6  
    {2Jn#&Z29  
       >uN)O-  
    参考文献:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured Eu^? e  
    Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566. ZH<:YOQ  
    <p74U( V  
    CIGS层厚度变化量:100/150/200nm E1uyMh-dy  
    吸收材料的厚度是影响电池整体效率的最重要因素之一。 ;P#c!  
    05cyWg9a  
    J<4 egk4  
     
    分享到