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    [技术]SiO2膜层的可变角椭圆偏振光谱(VASE)分析 [复制链接]

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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 04-08
    摘要 R(-<BtM!-  
    L:(1ZS  
    可变角度椭圆偏振光谱仪(VASE)是一种常用的技术,由于其对光学参数的微小变化具有高灵敏度,而被用在许多使用薄膜结构的应用中,如半导体、光学涂层、数据存储、平板制造等。在本用例中,我们演示了VirtualLab Fusion中的椭圆偏振分析器在二氧化硅(SiO2)涂层上的使用。对于系统的参数,我们参考Woollam等人的工作 "可变角度椭圆偏振光谱仪(VASE)概述。I. 基本理论和典型应用",并研究该方法对轻微变化的涂层厚度有多敏感。 Qj3a_p$)P  
    xl"HotsX-x  
    +rIL|c}J  
    8)kLV_+%  
    任务描述 sP-^~ pp  
    l^d[EL+  
    ltkI}h,e  
    ;SwMu@tg  
    镀膜样品 U|HB=BP  
    关于配置堆栈的更多信息。 sz @p_Z/  
    利用界面配置光栅结构 t6BHGX{o  
    一般光栅组件能够对周期性结构进行建模。在各向同性的情况下,使用一个非常小的周期,以确保只有0阶会传播。二氧化硅层也是根据参考文献来定义的。 oQv3GpO  
    - 涂层厚度:10纳米 L{E^?iX  
    - 涂层材料。二氧化硅 bW ZbG{Y.  
    - 折射率:扩展的Cauchy模型。 hoT/KWD,  
    f30Pi1/h=c  
    𝐴 = 1.44, 𝐵 = 0.00422𝜇𝑚², 𝐶 = 1.89𝐸 - 05𝜇𝑚4 O$kq`'9  
    - 基板材料:晶体硅 AW#<i_Ybf  
    - 入射角度。75° %+ FG,d  
    8vuCc=  
    H'MJ{r0,  
    ZhNdB  
    椭圆偏振分析仪 SxK:]Aw  
    ^1Xt]T`e  
    k8,?hX:  
    U!XS;a)  
    椭圆偏振分析仪用于计算相位差𝛥,以及反射光束的振幅分量Ψ。 <xJ/y|{  
    有关该分析仪的更多信息可在这里找到。 v+e|o:o#  
    *WE1;msr  
    椭圆偏振分析仪
    @\w,otT  
    UZEI:k,dv  
    =&!HwOnp  
    5'w^@Rs5  
    总结 - 组件... 'a^{=+  
    G pbC M~x  
    SEl#FWR  
    Y~)T  
    [+w3J#K  
    8F)G7 H ,  
    椭圆偏振系数测量 y fSM  
    v(l eide  
    椭圆偏振分析仪测量反射系数(s-和p-极化分量)的比率𝜌,并输出相位差𝛥,以及振幅分量Ψ,根据 -[OXSaf6  
    ]NhS=3*i+  
    j#0j)k2Q  
    r}u%#G+K,  
    在VirtualLab Fusion中,复数系数𝑅p和𝑅s是通过应用严格耦合波分析(RCWA),也被称为傅里叶模态法(FMM)来计算。因此,在研究光栅样品的情况下,这些系数也可以是特定衍射阶数的瑞利系数。 ~|wos-nM  
    Y${l!+q  
    iqhOi|!  
    PuxK?bwC  
    椭圆偏振对小厚度变化的敏感性 M[~{Vd  
    #'OaKt?Z)  
    为了评估椭偏仪对涂层厚度即使是非常小的变化的敏感性,对10纳米厚的二氧化硅层和10.1纳米厚的二氧化硅膜的结果进行了比较。即使是厚度的微小变化,1埃的差异也高于普通椭圆偏振的分辨率(0.02°为𝑇,0.1°为𝛥*)。因此,即使是涂层中的亚纳米变化也可以通过椭偏仪来测量。 ^MD;"A<  
    uhV0J97  
    bXYA5wG  
    * 数值根据Woollam et al., Proc. SPIE 10294, 1029402 (1999) j<pw\k{i  
    ,}xbAA#  
    仿真结果与参考文献的比较 9Q W&$n^  
    u)Q;8$`  
    被研究的SiO2层厚度变化为1埃时,𝛹和𝛥的差异。 /w]&t\]*  
    %o?IsIys  
    rVQX7l#YI  
    +*&cz  
    VirtualLab Fusion技术  Voh hQ  
    g8ES8S M  
    RA a[t :|  
    )[&_scSa  
    Uz%Z&K  
     
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