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    [技术]SiO2膜层的可变角椭圆偏振光谱(VASE)分析 [复制链接]

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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 04-08
    摘要 ITQA0PI SL  
    GKqm&/M*=  
    可变角度椭圆偏振光谱仪(VASE)是一种常用的技术,由于其对光学参数的微小变化具有高灵敏度,而被用在许多使用薄膜结构的应用中,如半导体、光学涂层、数据存储、平板制造等。在本用例中,我们演示了VirtualLab Fusion中的椭圆偏振分析器在二氧化硅(SiO2)涂层上的使用。对于系统的参数,我们参考Woollam等人的工作 "可变角度椭圆偏振光谱仪(VASE)概述。I. 基本理论和典型应用",并研究该方法对轻微变化的涂层厚度有多敏感。 b6M[q_   
    5ta `%R_  
    `7Q<'oK  
    S}3fr^{.  
    任务描述 q_8+HEvo  
    Po;W'7"Po`  
    YqD=>P[O  
    Kn{4;Xk\  
    镀膜样品 u#fM_>ML  
    关于配置堆栈的更多信息。 c ]-<vkpV  
    利用界面配置光栅结构 TqQB@-!  
    一般光栅组件能够对周期性结构进行建模。在各向同性的情况下,使用一个非常小的周期,以确保只有0阶会传播。二氧化硅层也是根据参考文献来定义的。 ,t744k')  
    - 涂层厚度:10纳米 N% B>M7-=  
    - 涂层材料。二氧化硅 Es`Px_k  
    - 折射率:扩展的Cauchy模型。 j_[tu!~  
    bs&43Ae  
    𝐴 = 1.44, 𝐵 = 0.00422𝜇𝑚², 𝐶 = 1.89𝐸 - 05𝜇𝑚4 n6>#/eUH  
    - 基板材料:晶体硅 ]c*4J\s  
    - 入射角度。75° >uB?rGcM  
    zk+9'r`-D  
    aKDKmHd  
    B@))8.h]  
    椭圆偏振分析仪 }&D WaO]J7  
    iVr JQ  
    jd"@t*ZV  
    J{<X 7uB  
    椭圆偏振分析仪用于计算相位差𝛥,以及反射光束的振幅分量Ψ。 T Z@]:e:"b  
    有关该分析仪的更多信息可在这里找到。 E=Bf1/c\  
    y<3-?}.aZ  
    椭圆偏振分析仪
    =%O6:YM   
    MJ)RvNF  
    n&/ `  
    VGN5<?PrN  
    总结 - 组件...  > |=ts  
    UDFDJm$  
    $wa{~'  
    {Mk6T1Bkq  
    G!##X: 6'  
    +=h:Vb8  
    椭圆偏振系数测量 Q{>k1$fkV  
    RP|`HkP-2  
    椭圆偏振分析仪测量反射系数(s-和p-极化分量)的比率𝜌,并输出相位差𝛥,以及振幅分量Ψ,根据 Dy&i&5E.-l  
    ]/6z; ~3U  
    j;r-NCBnz  
    >R_&Ouh:  
    在VirtualLab Fusion中,复数系数𝑅p和𝑅s是通过应用严格耦合波分析(RCWA),也被称为傅里叶模态法(FMM)来计算。因此,在研究光栅样品的情况下,这些系数也可以是特定衍射阶数的瑞利系数。 >'$Mp<  
    q i;1L Kc  
    |e&\<LwsP  
    _f,C[C[e&  
    椭圆偏振对小厚度变化的敏感性 T!{w~'=F  
    T>Z<]s  
    为了评估椭偏仪对涂层厚度即使是非常小的变化的敏感性,对10纳米厚的二氧化硅层和10.1纳米厚的二氧化硅膜的结果进行了比较。即使是厚度的微小变化,1埃的差异也高于普通椭圆偏振的分辨率(0.02°为𝑇,0.1°为𝛥*)。因此,即使是涂层中的亚纳米变化也可以通过椭偏仪来测量。 re<{ >  
    gJ{)-\  
    6MW{,N  
    * 数值根据Woollam et al., Proc. SPIE 10294, 1029402 (1999) ~~P5k:  
    kD%( _K5  
    仿真结果与参考文献的比较 5DZ#9m/  
    j (d~aqW  
    被研究的SiO2层厚度变化为1埃时,𝛹和𝛥的差异。 dT8S~-d%  
    Q&;9 x?e  
    Fm 2AEs\  
    EZGIf/ 3  
    VirtualLab Fusion技术 BO&bmfp7,  
    <lPG=Xt  
    C!!M%P  
    `w Vyb>T  
    yyJ  f%{  
     
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