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    [技术]SiO2膜层的可变角椭圆偏振光谱(VASE)分析 [复制链接]

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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 04-08
    摘要 7.kgQ"?&  
    n s#v?D9NF  
    可变角度椭圆偏振光谱仪(VASE)是一种常用的技术,由于其对光学参数的微小变化具有高灵敏度,而被用在许多使用薄膜结构的应用中,如半导体、光学涂层、数据存储、平板制造等。在本用例中,我们演示了VirtualLab Fusion中的椭圆偏振分析器在二氧化硅(SiO2)涂层上的使用。对于系统的参数,我们参考Woollam等人的工作 "可变角度椭圆偏振光谱仪(VASE)概述。I. 基本理论和典型应用",并研究该方法对轻微变化的涂层厚度有多敏感。 `ES+$O>  
    H`s[=Y,m  
    z |8zNt Ug  
    E[Q2ZqhgbP  
    任务描述 pQi|PQq  
    2f6BZ8H+Z  
    2cjbb kq  
    twhT6wz"  
    镀膜样品 L[^.pO  
    关于配置堆栈的更多信息。 ZypK''&oc  
    利用界面配置光栅结构 pJ JOy  
    一般光栅组件能够对周期性结构进行建模。在各向同性的情况下,使用一个非常小的周期,以确保只有0阶会传播。二氧化硅层也是根据参考文献来定义的。 4Uhh]/  
    - 涂层厚度:10纳米 C;?<WtH  
    - 涂层材料。二氧化硅 8 ,W*)Q  
    - 折射率:扩展的Cauchy模型。 TBZhL  
    R*?!xDJ  
    𝐴 = 1.44, 𝐵 = 0.00422𝜇𝑚², 𝐶 = 1.89𝐸 - 05𝜇𝑚4 ZnBGNr  
    - 基板材料:晶体硅 i|rCGa0}  
    - 入射角度。75° V 4&a+MJ@  
    ibn\&}1  
    Wuk!\<T{  
    LrT? ]o  
    椭圆偏振分析仪 >sZ_I?YDs  
    8)>4ZNXz  
    U]W "  
    Yx&d\/9  
    椭圆偏振分析仪用于计算相位差𝛥,以及反射光束的振幅分量Ψ。 MDZPp;\)  
    有关该分析仪的更多信息可在这里找到。 KGGnypx`  
    Uz=o l.E  
    椭圆偏振分析仪
    kQp*+ras  
    Nza@6nI"  
    c axOxRo\  
    \Xe{vlo>h  
    总结 - 组件... _S,UpR~2W  
    dA^{}zZu  
    x`Wb9[u8  
    -q(*)N5.2  
    T oT('  
    @yj~5Gf(j  
    椭圆偏振系数测量 :2V|(:^ '  
    ,4=mlte"  
    椭圆偏振分析仪测量反射系数(s-和p-极化分量)的比率𝜌,并输出相位差𝛥,以及振幅分量Ψ,根据 E.*gKfL  
    $3g M P+  
    CfVL'  
    %{Obh j;c  
    在VirtualLab Fusion中,复数系数𝑅p和𝑅s是通过应用严格耦合波分析(RCWA),也被称为傅里叶模态法(FMM)来计算。因此,在研究光栅样品的情况下,这些系数也可以是特定衍射阶数的瑞利系数。 }=B~n0  
    ~~O4!|t  
    ("YWJJ'H  
    fQ1Dp  
    椭圆偏振对小厚度变化的敏感性 W*?qOq {  
    A H=%6oT2  
    为了评估椭偏仪对涂层厚度即使是非常小的变化的敏感性,对10纳米厚的二氧化硅层和10.1纳米厚的二氧化硅膜的结果进行了比较。即使是厚度的微小变化,1埃的差异也高于普通椭圆偏振的分辨率(0.02°为𝑇,0.1°为𝛥*)。因此,即使是涂层中的亚纳米变化也可以通过椭偏仪来测量。 Vvp{y  
    z "z  
    C ^c <s  
    * 数值根据Woollam et al., Proc. SPIE 10294, 1029402 (1999) _pzYmQ  
    i'10qWz  
    仿真结果与参考文献的比较 JDW/Mc1bh  
    ^/cqE[V~,  
    被研究的SiO2层厚度变化为1埃时,𝛹和𝛥的差异。 M`7[hr  
    ?B@3A)a  
    lANi$ :aE  
    | O9b  
    VirtualLab Fusion技术 Z78i7k}  
    CpK:u! Dn  
    fqBz"l>5A  
    2bG92  
    XfflD9M  
     
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