[求助]新人镀膜问题求教 [复制链接]

楼主是去年8月份接触光学镀膜行业的，从刚开始什么也不懂，到现在对镀膜设备和工艺有了一定的初步认识，年前在这里注册了账号，潜水看以往的帖子进行学习。 p\6cpf  
现在工作中遇到几个问题，想问下求助大家（使用磁控溅射，镀膜材料是NB2O5和SIO2） hRcb}>pr  
1.我们生产AR有两种膜系，一个总膜厚在240nm左右，另一个总膜厚在260nm左右。都是7层。我们修组系数后产品打样测得离散数据和240nm {f!/:bM  
的膜系就是曲线趋势对的上的，而260nm膜系的产品打样就对不上，这是因为修组系数时镀的单层膜厚有关吗？ l\HdB"nT  
2.设备镀膜的氩气和氧气的最佳配比该如何找？ _"DS?`z6  
3.我们真空计是成都睿宝的，电离规的玻璃规管在网上买到后货不对板，不是成都睿宝的，这个能用吗？ K"}fD;3  
OZ,kz2SF#  

对不上有可能是薄层（敏感层）的问题。 AKNx~!%2  
薄层的折射率是个大问题，特别是你用离子源的情况下。 P:qmg"i@3  
2是工艺和经验问题，这个自己试吧。 qfkHGW?1/j  
3不知道 X'9.fKp  

ouyuu:对不上有可能是薄层（敏感层）的问题。 ;'!x  
薄层的折射率是个大问题，特别是你用离子源的情况下。 (Guzj*12  
2是工艺和经验问题，这个自己试吧。 gfk)`>E  
3不知道 `i{d"H0E  
 (2026-04-01 19:18)  3f|}p{3  

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好的，感谢指导。

剑雨剑芒:好的，感谢指导。 (2026-04-01 19:37)  [V}vd@*k  

F)P:lvp<r  
刚刚发现你用的是磁控溅射。 iAd&o`C  
Ar不是反应气体，Ar是用来轰击靶材，让靶材的材料溅射出来。 xL* psj  
O2是反应气体，是让靶材的材料发生氧化反应，变成氧化物。 ,%i Scr,z  
这个没有什么最佳配比，如果有问题，应该是你抽真空系统需要保养了。（抽速慢了） .[={Yx0!I  
UBo0c?,4  
磁控溅射照理来讲膜厚还是比较好控制的，有问题不一定是膜厚控制的问题。 cS&KD@.  
你们不同膜层的氧气氩气变化大吗？会不会是真空度变化或者是气流波动造成的？

ouyuu:刚刚发现你用的是磁控溅射。 DVQr7tQf  
Ar不是反应气体，Ar是用来轰击靶材，让靶材的材料溅射出来。 r$<!?Z  
O2是反应气体，是让靶材的材料发生氧化反应，变成氧化物。 ZllmaI  
这个没有什么最佳配比，如果有问题，应该是你抽真空系统需要保养了。（抽速慢了） Vmz#u1gGT6  
....... (2026-04-03 19:16)  6Dd>ex!-A  

V``|<`!gd  
是的，镀硅和铌的气体比例是不一样的，刚开始生产时镀膜的气体比例在流量计上设置为 GTs,?t16/  
硅  Ar 190   O2  110      铌   Ar 200  O2  80 /
X8a3Eqp9  
但是我们这样配比镀出来的产品时不时有吸收，玻璃盖板摞在一起颜色发黑，550单波段测试透过率在93%或92%。然后更改为现在的 e.\>GwM  
硅  Ar 190   O2  120      铌   Ar 200  O2  100 -=-^rQx9  
现在做起来没有吸收了，但是感觉速度变慢了些。 <h(AJX7wsD  
最近了解到Ar充气多少影响分子的平均自由程从而影响镀膜速率，所以就想深入问下这方面的调试经验。

应该说是充气多了，真空度差了，溅射出来材料的量就少了。 CI+)0=`<1B  
这个只能是做真空保养。或者你们调整一下氧气充气的出气口位置看看。
HOD?i_  
也许是因为出气口位置不好造成的充气不足（氧不够造成的吸收）。

记录一下各材料镀膜时候的真空度，和之前的记录比较一下。看看是不是差异很大。 yCz"~c  
如果以前的镀膜记录还保留的话，看看以前的充气量和真空度，和现在的比较一下。

ouyuu:记录一下各材料镀膜时候的真空度，和之前的记录比较一下。看看是不是差异很大。 %AV3eqghCg  
如果以前的镀膜记录还保留的话，看看以前的充气量和真空度，和现在的比较一下。 (2026-04-07 23:12)  ,>g(%
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我们设备镀膜时真空度大概在0.3到0.5pa左右。

剑雨剑芒:我们设备镀膜时真空度大概在0.3到0.5pa左右。 (2026-04-20 15:17)  z ISy\uka  

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真空度太差了，一般镀膜应该-2左右，蒸镀要控制在1.5E-2Pa以下。真空度差的话射频容易打火

ouyuu:真空度太差了，一般镀膜应该-2左右，蒸镀要控制在1.5E-2Pa以下。真空度差的话射频容易打火 (2026-04-21 18:16)  ].w$b)G  

e.g$|C^$m  
我们设备设定的镀膜真空是0.008pa，到达该真空通Ar和O2后，真空就到了0.3-0.5pa。