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    [求助]新人镀膜问题求教 [复制链接]

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    离线剑雨剑芒
     
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    只看楼主 正序阅读 楼主  发表于: 03-29
    楼主是去年8月份接触光学镀膜行业的,从刚开始什么也不懂,到现在对镀膜设备工艺有了一定的初步认识,年前在这里注册了账号,潜水看以往的帖子进行学习。 D!/0c]"  
    现在工作中遇到几个问题,想问下求助大家(使用磁控溅射,镀膜材料是NB2O5和SIO2) DU`v J2  
    1.我们生产AR有两种膜系,一个总膜厚在240nm左右,另一个总膜厚在260nm左右。都是7层。我们修组系数后产品打样测得离散数据和240nm NFV_+{X\  
    的膜系就是曲线趋势对的上的,而260nm膜系的产品打样就对不上,这是因为修组系数时镀的单层膜厚有关吗? V pH|R  
    2.设备镀膜的氩气和氧气的最佳配比该如何找? Y.X4*B  
    3.我们真空计是成都睿宝的,电离规的玻璃规管在网上买到后货不对板,不是成都睿宝的,这个能用吗? T$ IUKR  
    wcl!S{  
     
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    离线ouyuu
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    只看该作者 10楼 发表于: 04-28
    起镀真空有点高,但问题还是在抽速上。 `T`c@A  
    有时候泵的劣化很隐蔽,只看极限真空是没问题的。  -?Ejbko  
    但是一加上负载,真空度就突突的往上跑。 d _uF Y:  
    这样其实不管对设备还是产品都不是好事。 }`#B f  
    离线剑雨剑芒
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    只看该作者 9楼 发表于: 04-22
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    ouyuu:真空度太差了,一般镀膜应该-2左右,蒸镀要控制在1.5E-2Pa以下。真空度差的话射频容易打火 (2026-04-21 18:16)  ^Kb9@lz/  
    5c*p2:]  
    我们设备设定的镀膜真空是0.008pa,到达该真空通Ar和O2后,真空就到了0.3-0.5pa。
    离线ouyuu
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    只看该作者 8楼 发表于: 04-21
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    剑雨剑芒:我们设备镀膜时真空度大概在0.3到0.5pa左右。 (2026-04-20 15:17)  > Z.TM=qj  
    CuV=C Ay>  
    真空度太差了,一般镀膜应该-2左右,蒸镀要控制在1.5E-2Pa以下。真空度差的话射频容易打火
    离线剑雨剑芒
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    只看该作者 7楼 发表于: 04-20
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    ouyuu:记录一下各材料镀膜时候的真空度,和之前的记录比较一下。看看是不是差异很大。 ; ei<Q =[  
    如果以前的镀膜记录还保留的话,看看以前的充气量和真空度,和现在的比较一下。 (2026-04-07 23:12)  j4 &  
    Wj f>:\ w  
    我们设备镀膜时真空度大概在0.3到0.5pa左右。
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    只看该作者 6楼 发表于: 04-07
    记录一下各材料镀膜时候的真空度,和之前的记录比较一下。看看是不是差异很大。 0u&?Zy9&  
    如果以前的镀膜记录还保留的话,看看以前的充气量和真空度,和现在的比较一下。
    离线ouyuu
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    只看该作者 5楼 发表于: 04-07
    应该说是充气多了,真空度差了,溅射出来材料的量就少了。 g#KToOP  
    这个只能是做真空保养。或者你们调整一下氧气充气的出气口位置看看。 GYb2m"a)  
    也许是因为出气口位置不好造成的充气不足(氧不够造成的吸收)。
    离线剑雨剑芒
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    只看该作者 4楼 发表于: 04-06
    回 ouyuu 的帖子
    ouyuu:刚刚发现你用的是磁控溅射。 d_|v=^;  
    Ar不是反应气体,Ar是用来轰击靶材,让靶材的材料溅射出来。 3&d+U)E  
    O2是反应气体,是让靶材的材料发生氧化反应,变成氧化物。  KNyD}1  
    这个没有什么最佳配比,如果有问题,应该是你抽真空系统需要保养了。(抽速慢了) GKDG5u;  
    ....... (2026-04-03 19:16)  }8KL]11b  
    LZbHK.G=  
    是的,镀硅和铌的气体比例是不一样的,刚开始生产时镀膜的气体比例在流量计上设置为 RX|&cY>  
    硅  Ar 190   O2  110      铌   Ar 200  O2  80 0`Qs=R`OM  
    但是我们这样配比镀出来的产品时不时有吸收,玻璃盖板摞在一起颜色发黑,550单波段测试透过率在93%或92%。然后更改为现在的 aj-uk(r  
    硅  Ar 190   O2  120      铌   Ar 200  O2  100 =]k_Oq-1h  
    现在做起来没有吸收了,但是感觉速度变慢了些。 tZ2iSc  
    最近了解到Ar充气多少影响分子的平均自由程从而影响镀膜速率,所以就想深入问下这方面的调试经验。
    离线ouyuu
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    只看该作者 3楼 发表于: 04-03
    回 剑雨剑芒 的帖子
    剑雨剑芒:好的,感谢指导。 (2026-04-01 19:37)  e28#Yh@U  
    wfzb:Aig`  
    刚刚发现你用的是磁控溅射。 ^ } L$[P  
    Ar不是反应气体,Ar是用来轰击靶材,让靶材的材料溅射出来。 AVZ@?aJgF  
    O2是反应气体,是让靶材的材料发生氧化反应,变成氧化物。 ^;_b!7*  
    这个没有什么最佳配比,如果有问题,应该是你抽真空系统需要保养了。(抽速慢了) [uHI 6Q#  
    U#4W"1~iX  
    磁控溅射照理来讲膜厚还是比较好控制的,有问题不一定是膜厚控制的问题。 sva$@y7b  
    你们不同膜层的氧气氩气变化大吗?会不会是真空度变化或者是气流波动造成的?
    离线剑雨剑芒
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    只看该作者 2楼 发表于: 04-01
    回 ouyuu 的帖子
    ouyuu:对不上有可能是薄层(敏感层)的问题。 zZ63 P  
    薄层的折射率是个大问题,特别是你用离子源的情况下。  "(xu  
    2是工艺和经验问题,这个自己试吧。 <U*d   
    3不知道 :&MiO3#+  
     (2026-04-01 19:18)  _U %B1s3y  
    2+HiaYDZ  
    好的,感谢指导。