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    [求助]新人镀膜问题求教 [复制链接]

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    离线剑雨剑芒
     
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    只看楼主 正序阅读 楼主  发表于: 03-29
    楼主是去年8月份接触光学镀膜行业的,从刚开始什么也不懂,到现在对镀膜设备工艺有了一定的初步认识,年前在这里注册了账号,潜水看以往的帖子进行学习。 ]7*kWc2  
    现在工作中遇到几个问题,想问下求助大家(使用磁控溅射,镀膜材料是NB2O5和SIO2) tp@*=*^I  
    1.我们生产AR有两种膜系,一个总膜厚在240nm左右,另一个总膜厚在260nm左右。都是7层。我们修组系数后产品打样测得离散数据和240nm lHcA j{6  
    的膜系就是曲线趋势对的上的,而260nm膜系的产品打样就对不上,这是因为修组系数时镀的单层膜厚有关吗? : g 5(HH  
    2.设备镀膜的氩气和氧气的最佳配比该如何找? ~)_K"h.DY  
    3.我们真空计是成都睿宝的,电离规的玻璃规管在网上买到后货不对板,不是成都睿宝的,这个能用吗? }*h47t}  
    Zgy7!AF!  
     
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    离线ouyuu
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    只看该作者 10楼 发表于: 04-28
    起镀真空有点高,但问题还是在抽速上。 X PA 0m  
    有时候泵的劣化很隐蔽,只看极限真空是没问题的。 Z/gsCYS3F  
    但是一加上负载,真空度就突突的往上跑。 "w9`cz9a~J  
    这样其实不管对设备还是产品都不是好事。 qIz}$%!A  
    离线剑雨剑芒
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    只看该作者 9楼 发表于: 04-22
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    ouyuu:真空度太差了,一般镀膜应该-2左右,蒸镀要控制在1.5E-2Pa以下。真空度差的话射频容易打火 (2026-04-21 18:16)  %J!NL0x_  
    R5ZIC4p  
    我们设备设定的镀膜真空是0.008pa,到达该真空通Ar和O2后,真空就到了0.3-0.5pa。
    离线ouyuu
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    只看该作者 8楼 发表于: 04-21
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    剑雨剑芒:我们设备镀膜时真空度大概在0.3到0.5pa左右。 (2026-04-20 15:17)  x<F$aXOS  
    ix*muVBj.  
    真空度太差了,一般镀膜应该-2左右,蒸镀要控制在1.5E-2Pa以下。真空度差的话射频容易打火
    离线剑雨剑芒
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    只看该作者 7楼 发表于: 04-20
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    ouyuu:记录一下各材料镀膜时候的真空度,和之前的记录比较一下。看看是不是差异很大。 88o:NJ}_  
    如果以前的镀膜记录还保留的话,看看以前的充气量和真空度,和现在的比较一下。 (2026-04-07 23:12)  /gw Cwyo  
     AP w6  
    我们设备镀膜时真空度大概在0.3到0.5pa左右。
    离线ouyuu
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    只看该作者 6楼 发表于: 04-07
    记录一下各材料镀膜时候的真空度,和之前的记录比较一下。看看是不是差异很大。 y x;h  
    如果以前的镀膜记录还保留的话,看看以前的充气量和真空度,和现在的比较一下。
    离线ouyuu
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    只看该作者 5楼 发表于: 04-07
    应该说是充气多了,真空度差了,溅射出来材料的量就少了。 ?v.Gn9Z&  
    这个只能是做真空保养。或者你们调整一下氧气充气的出气口位置看看。 Pux)>q] C  
    也许是因为出气口位置不好造成的充气不足(氧不够造成的吸收)。
    离线剑雨剑芒
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    只看该作者 4楼 发表于: 04-06
    回 ouyuu 的帖子
    ouyuu:刚刚发现你用的是磁控溅射。 ?(Bl~?zD  
    Ar不是反应气体,Ar是用来轰击靶材,让靶材的材料溅射出来。 9b%j.Q-W  
    O2是反应气体,是让靶材的材料发生氧化反应,变成氧化物。 4if\5P:j  
    这个没有什么最佳配比,如果有问题,应该是你抽真空系统需要保养了。(抽速慢了) d?}hCo=/Xq  
    ....... (2026-04-03 19:16)  zq=&4afOE  
    e5L 1er;6  
    是的,镀硅和铌的气体比例是不一样的,刚开始生产时镀膜的气体比例在流量计上设置为 A^L?_\e6  
    硅  Ar 190   O2  110      铌   Ar 200  O2  80 %rXexy!V  
    但是我们这样配比镀出来的产品时不时有吸收,玻璃盖板摞在一起颜色发黑,550单波段测试透过率在93%或92%。然后更改为现在的 8_ X.c  
    硅  Ar 190   O2  120      铌   Ar 200  O2  100 oG\>--  
    现在做起来没有吸收了,但是感觉速度变慢了些。 |D+p$^L  
    最近了解到Ar充气多少影响分子的平均自由程从而影响镀膜速率,所以就想深入问下这方面的调试经验。
    离线ouyuu
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    只看该作者 3楼 发表于: 04-03
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    剑雨剑芒:好的,感谢指导。 (2026-04-01 19:37)  %fBP:5%K  
    V&g)m.d:n  
    刚刚发现你用的是磁控溅射。 %6N)G!P  
    Ar不是反应气体,Ar是用来轰击靶材,让靶材的材料溅射出来。 FN>L7 *,0  
    O2是反应气体,是让靶材的材料发生氧化反应,变成氧化物。 n 3h^VQ*]G  
    这个没有什么最佳配比,如果有问题,应该是你抽真空系统需要保养了。(抽速慢了) ^K"ZJ6?+1  
    rykj2/O  
    磁控溅射照理来讲膜厚还是比较好控制的,有问题不一定是膜厚控制的问题。 f&f`J/(  
    你们不同膜层的氧气氩气变化大吗?会不会是真空度变化或者是气流波动造成的?
    离线剑雨剑芒
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    只看该作者 2楼 发表于: 04-01
    回 ouyuu 的帖子
    ouyuu:对不上有可能是薄层(敏感层)的问题。 1X[ 73  
    薄层的折射率是个大问题,特别是你用离子源的情况下。 SE6>vKR/.  
    2是工艺和经验问题,这个自己试吧。 sf fV.cC`  
    3不知道 fdN45in=>  
     (2026-04-01 19:18)  !&qx7eOSpP  
    +d.u##$  
    好的,感谢指导。