[求助]新人镀膜问题求教 [复制链接]

楼主是去年8月份接触光学镀膜行业的，从刚开始什么也不懂，到现在对镀膜设备和工艺有了一定的初步认识，年前在这里注册了账号，潜水看以往的帖子进行学习。 rEHkw '  
现在工作中遇到几个问题，想问下求助大家（使用磁控溅射，镀膜材料是NB2O5和SIO2） tniDF>Rb  
1.我们生产AR有两种膜系，一个总膜厚在240nm左右，另一个总膜厚在260nm左右。都是7层。我们修组系数后产品打样测得离散数据和240nm QU%I4
3  
的膜系就是曲线趋势对的上的，而260nm膜系的产品打样就对不上，这是因为修组系数时镀的单层膜厚有关吗？ y_*PQZ$c<  
2.设备镀膜的氩气和氧气的最佳配比该如何找？ zUkN 0  
3.我们真空计是成都睿宝的，电离规的玻璃规管在网上买到后货不对板，不是成都睿宝的，这个能用吗？ !>BZ6gn5  
lY~4'8^  

对不上有可能是薄层（敏感层）的问题。 qOSg!aft{Q  
薄层的折射率是个大问题，特别是你用离子源的情况下。 '"<6.,Ae  
2是工艺和经验问题，这个自己试吧。 V$"ujRp  
3不知道 Ypei
y`.  

ouyuu:对不上有可能是薄层（敏感层）的问题。 {TO
mv  
薄层的折射率是个大问题，特别是你用离子源的情况下。 6vp *9  
2是工艺和经验问题，这个自己试吧。 'qArf   
3不知道 Io|X#\K  
 (2026-04-01 19:18)  6 4D]Ypx  

W(25TbQ  
好的，感谢指导。

剑雨剑芒:好的，感谢指导。 (2026-04-01 19:37)  F_ 7H!F  

xMs]Hs  
刚刚发现你用的是磁控溅射。 Te{ *6-gO3  
Ar不是反应气体，Ar是用来轰击靶材，让靶材的材料溅射出来。 pi@Xkw  
O2是反应气体，是让靶材的材料发生氧化反应，变成氧化物。 E2AW7f(/  
这个没有什么最佳配比，如果有问题，应该是你抽真空系统需要保养了。（抽速慢了） DjC
x~@  
p T[gdhc  
磁控溅射照理来讲膜厚还是比较好控制的，有问题不一定是膜厚控制的问题。 _M,lQ~  
你们不同膜层的氧气氩气变化大吗？会不会是真空度变化或者是气流波动造成的？

ouyuu:刚刚发现你用的是磁控溅射。 (paf2F
`~#  
Ar不是反应气体，Ar是用来轰击靶材，让靶材的材料溅射出来。 ~U}Mv{y  
O2是反应气体，是让靶材的材料发生氧化反应，变成氧化物。 m-1?\bs  
这个没有什么最佳配比，如果有问题，应该是你抽真空系统需要保养了。（抽速慢了） <%bw
/  
....... (2026-04-03 19:16)  0jB X5  

8&}~'4[b[$  
是的，镀硅和铌的气体比例是不一样的，刚开始生产时镀膜的气体比例在流量计上设置为 'pP-rdx  
硅  Ar 190   O2  110      铌   Ar 200  O2  80 @?&Wm3x9  
但是我们这样配比镀出来的产品时不时有吸收，玻璃盖板摞在一起颜色发黑，550单波段测试透过率在93%或92%。然后更改为现在的 $W!]fcZlB  
硅  Ar 190   O2  120      铌   Ar 200  O2  100 hSqMaX%G  
现在做起来没有吸收了，但是感觉速度变慢了些。 P#G.lft"O  
最近了解到Ar充气多少影响分子的平均自由程从而影响镀膜速率，所以就想深入问下这方面的调试经验。

应该说是充气多了，真空度差了，溅射出来材料的量就少了。 vC9@,[  
这个只能是做真空保养。或者你们调整一下氧气充气的出气口位置看看。 d$1#<-yP  
也许是因为出气口位置不好造成的充气不足（氧不够造成的吸收）。

记录一下各材料镀膜时候的真空度，和之前的记录比较一下。看看是不是差异很大。 nN{dORJlx  
如果以前的镀膜记录还保留的话，看看以前的充气量和真空度，和现在的比较一下。

ouyuu:记录一下各材料镀膜时候的真空度，和之前的记录比较一下。看看是不是差异很大。 j/`Up  
如果以前的镀膜记录还保留的话，看看以前的充气量和真空度，和现在的比较一下。 (2026-04-07 23:12)  ;x RjQR
 

b#}t:yy  
我们设备镀膜时真空度大概在0.3到0.5pa左右。

剑雨剑芒:我们设备镀膜时真空度大概在0.3到0.5pa左右。 (2026-04-20 15:17)  T&mbXMN  

#efqG=q  
真空度太差了，一般镀膜应该-2左右，蒸镀要控制在1.5E-2Pa以下。真空度差的话射频容易打火

ouyuu:真空度太差了，一般镀膜应该-2左右，蒸镀要控制在1.5E-2Pa以下。真空度差的话射频容易打火 (2026-04-21 18:16)  Ufm(2`FQ  

D2>hMc  
我们设备设定的镀膜真空是0.008pa，到达该真空通Ar和O2后，真空就到了0.3-0.5pa。