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    [求助]新人镀膜问题求教 [复制链接]

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    离线剑雨剑芒
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 03-29
    楼主是去年8月份接触光学镀膜行业的,从刚开始什么也不懂,到现在对镀膜设备工艺有了一定的初步认识,年前在这里注册了账号,潜水看以往的帖子进行学习。 4X2/n  
    现在工作中遇到几个问题,想问下求助大家(使用磁控溅射,镀膜材料是NB2O5和SIO2) Dh|8$(Jt  
    1.我们生产AR有两种膜系,一个总膜厚在240nm左右,另一个总膜厚在260nm左右。都是7层。我们修组系数后产品打样测得离散数据和240nm +;Jb)8  
    的膜系就是曲线趋势对的上的,而260nm膜系的产品打样就对不上,这是因为修组系数时镀的单层膜厚有关吗? )_nc;&%w  
    2.设备镀膜的氩气和氧气的最佳配比该如何找? tc'` 4O]c8  
    3.我们真空计是成都睿宝的,电离规的玻璃规管在网上买到后货不对板,不是成都睿宝的,这个能用吗? xA9{o+  
    4W9#z~'  
     
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    离线ouyuu
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    只看该作者 1楼 发表于: 04-01
    对不上有可能是薄层(敏感层)的问题。 Fss7xP'  
    薄层的折射率是个大问题,特别是你用离子源的情况下。 ?2;r#)  
    2是工艺和经验问题,这个自己试吧。 yU~OfwQ  
    3不知道 WX} "Pj/6  
    离线剑雨剑芒
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    只看该作者 2楼 发表于: 04-01
    回 ouyuu 的帖子
    ouyuu:对不上有可能是薄层(敏感层)的问题。 &%`IPhbT  
    薄层的折射率是个大问题,特别是你用离子源的情况下。 YBN. waL  
    2是工艺和经验问题,这个自己试吧。 *Wv]DV=\  
    3不知道 P$Y< g/s 4  
     (2026-04-01 19:18)  h[%`'(  
    3ryIXC\v  
    好的,感谢指导。
    离线ouyuu
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    只看该作者 3楼 发表于: 04-03
    回 剑雨剑芒 的帖子
    剑雨剑芒:好的,感谢指导。 (2026-04-01 19:37)  49~5U+x;  
    s"p}>BjMIC  
    刚刚发现你用的是磁控溅射。 ?UoA'~=  
    Ar不是反应气体,Ar是用来轰击靶材,让靶材的材料溅射出来。 |]HU$Gt S  
    O2是反应气体,是让靶材的材料发生氧化反应,变成氧化物。 ($' rV!}  
    这个没有什么最佳配比,如果有问题,应该是你抽真空系统需要保养了。(抽速慢了) 9M:wUYHT  
    eP|:b &  
    磁控溅射照理来讲膜厚还是比较好控制的,有问题不一定是膜厚控制的问题。 b4!(~"b.  
    你们不同膜层的氧气氩气变化大吗?会不会是真空度变化或者是气流波动造成的?
    离线剑雨剑芒
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    只看该作者 4楼 发表于: 04-06
    回 ouyuu 的帖子
    ouyuu:刚刚发现你用的是磁控溅射。 {*ATY+  
    Ar不是反应气体,Ar是用来轰击靶材,让靶材的材料溅射出来。 3bu VU& ap  
    O2是反应气体,是让靶材的材料发生氧化反应,变成氧化物。 $IA(QC_]AO  
    这个没有什么最佳配比,如果有问题,应该是你抽真空系统需要保养了。(抽速慢了) ;U<;R  
    ....... (2026-04-03 19:16)  4 FW~Y  
    RZ:Yu  
    是的,镀硅和铌的气体比例是不一样的,刚开始生产时镀膜的气体比例在流量计上设置为 fQ=Yf?b  
    硅  Ar 190   O2  110      铌   Ar 200  O2  80 "yXKu)_  
    但是我们这样配比镀出来的产品时不时有吸收,玻璃盖板摞在一起颜色发黑,550单波段测试透过率在93%或92%。然后更改为现在的 @ U'g}K  
    硅  Ar 190   O2  120      铌   Ar 200  O2  100 B/:q  
    现在做起来没有吸收了,但是感觉速度变慢了些。 H ifKa/}P8  
    最近了解到Ar充气多少影响分子的平均自由程从而影响镀膜速率,所以就想深入问下这方面的调试经验。
    离线ouyuu
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    只看该作者 5楼 发表于: 04-07
    应该说是充气多了,真空度差了,溅射出来材料的量就少了。 B\r2M`N5  
    这个只能是做真空保养。或者你们调整一下氧气充气的出气口位置看看。 !?Gt5$f  
    也许是因为出气口位置不好造成的充气不足(氧不够造成的吸收)。
    离线ouyuu
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    只看该作者 6楼 发表于: 04-07
    记录一下各材料镀膜时候的真空度,和之前的记录比较一下。看看是不是差异很大。 .T 6 NMIp*  
    如果以前的镀膜记录还保留的话,看看以前的充气量和真空度,和现在的比较一下。
    离线剑雨剑芒
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    只看该作者 7楼 发表于: 04-20
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    ouyuu:记录一下各材料镀膜时候的真空度,和之前的记录比较一下。看看是不是差异很大。 _D~l2M  
    如果以前的镀膜记录还保留的话,看看以前的充气量和真空度,和现在的比较一下。 (2026-04-07 23:12)  } I>68dS[  
    !yqe z  
    我们设备镀膜时真空度大概在0.3到0.5pa左右。
    离线ouyuu
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    只看该作者 8楼 发表于: 04-21
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    剑雨剑芒:我们设备镀膜时真空度大概在0.3到0.5pa左右。 (2026-04-20 15:17)  J':X$>E|  
    K;z$~;F  
    真空度太差了,一般镀膜应该-2左右,蒸镀要控制在1.5E-2Pa以下。真空度差的话射频容易打火
    离线剑雨剑芒
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    只看该作者 9楼 发表于: 04-22
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    ouyuu:真空度太差了,一般镀膜应该-2左右,蒸镀要控制在1.5E-2Pa以下。真空度差的话射频容易打火 (2026-04-21 18:16)  JK`$/l|7  
    M^*\ $K%  
    我们设备设定的镀膜真空是0.008pa,到达该真空通Ar和O2后,真空就到了0.3-0.5pa。