1. 建模任务 ,!Gw40t 1.1
模拟条件
8A#qbBD 模拟区域:0~10
|\Nu+w 边界条件:Periodic
7E6gXf. 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
N[:;f^bH49 单位长度:0.5
8HDYA$L
}KcvNK ( Z_Qs^e$ 1.2堆栈
结构 %We~k'2f
9Ra*bP ]1 2. 建模过程 YBehyx2eK 2.1设置模拟条件
9ldv*9v
ErnjIx: |uf{:U) 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 ~PAF2 &@NTedg! *:L-/Q)i 2.3创建掩膜并生成多畴结构
]?tC+UKb GG<{n$h 3. 结果分析
~$cz`A 3.1 指向矢分布和透过率
&3~lZa;D lV924mh )IQ5Qu 3.2所有畴的V-T曲线
#e)A t+y$i@R: vMG >Xb 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
`Tw DR6&