1. 建模任务 (c(F1=K 1.1
模拟条件
Nv7-6C6< 模拟区域:0~10
&2y4k"B&) 边界条件:Periodic
cK+TE8ao 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
t1adS:)s 单位长度:0.5
VTu#)I7A^@
V ql4*OJW {siOa%;* 1.2堆栈
结构 "Gp[.=.z? c4Zpt%:}h 2. 建模过程 X ha9x, 2.1设置模拟条件
I_ mus<sE
y("WnVI Io]FDPN 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 P35DVK S f1MRmp-f' sgp.;h' 2.3创建掩膜并生成多畴结构
?8-!hU@QC 'dwT&v]@ 3. 结果分析 Plp.\N%f3 3.1 指向矢分布和透过率
J,yKO(}<C = {O ~ [s>3xWZ+a 3.2所有畴的V-T曲线
R+M =)Z {Yj5Mj|# 2!^=G=H/ 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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