1. 建模任务 ;C%D+"l1g 1.1
模拟条件
.e2u)YqA 模拟区域:0~10
\>j._# t$h 边界条件:Periodic
|
%af}#
FQ 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
)Xa`LG=| 单位长度:0.5
}}?L'Vby
-uiZp ! uKqN 1.2堆栈
结构 Xu$xO( ";j/k9DE 2. 建模过程 M%:ACLYP 2.1设置模拟条件
mj<(qZh
vZC2F e+=Oj o# 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 `-4c}T qyc:;3?wm uG3t%CmN 2.3创建掩膜并生成多畴结构
UUv&X+Y Zb7KHKO{ 3. 结果分析 zp4Jd"XBX 3.1 指向矢分布和透过率
:XF;v l_u1 ~ K /yIkHb^c 3.2所有畴的V-T曲线
q:-8W[_ &:8a[C2= xrO:Y!C? 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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