1. 建模任务 }RvP*i 1.1
模拟条件
[0(+E2/:2 模拟区域:0~10
VHlN;6Qlff 边界条件:Periodic
=V@5W[bV 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
h!L/ZeRaV 单位长度:0.5
q)ns ui(
2V1|b`b#4 azxGUS_i< 1.2堆栈
结构 VNmQ'EuV}2 &ZRriqsQg 2. 建模过程 ,y+}0q-Ou 2.1设置模拟条件
9f
^c9@=
Whd2mKwiO g (i_di 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 &pCNOHi| ue5C
] Y|NANjEAfm 2.3创建掩膜并生成多畴结构
v^=Po6S[{+ hw@ `Q@ 3. 结果分析 1FCHqqZ= 3.1 指向矢分布和透过率
$X9`~Sv _ t@`w}o[# R*l#[D5A 3.2所有畴的V-T曲线
FG^Jh5 PE IUKlX b 6FC 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
5ir[}I^z