1. 建模任务 {.=4; 1.1
模拟条件
yu8xTh$: 模拟区域:0~10
-yKx"Q9F 边界条件:Periodic
BK._cDR 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
Ubtu?wRBW 单位长度:0.5
D*!p8J8Ku
M1(+_W` V'[Lqe,y 1.2堆栈
结构 pRS+vV3 Kgev*xg 2. 建模过程 dN'2;X 2.1设置模拟条件
iDp'M`(6h
GF(<!PC :oRR1k 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 WDznhMo &fH;A X. 05_aL` &eb 2.3创建掩膜并生成多畴结构
9a_B C:Tjue{G2 3. 结果分析 lP$bxUNt 3.1 指向矢分布和透过率
1CS[%)-c j*2Q{ik>J ,+`1 / 3.2所有畴的V-T曲线
N>8pA) 5\hJ& (J!FW(Ma|= 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
VRr_s:CWK