1. 建模任务 o(Yj[:+m 1.1
模拟条件
0l=g$G
\% 模拟区域:0~10
1|_jV7`Mz 边界条件:Periodic
r8x<-u4 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
H g(%gT 单位长度:0.5
}wJ-*By{+
4+qoq$F</ ejP273*ah 1.2堆栈
结构 c@!%.# |y b2]1Dfw 2. 建模过程 5]D"y Ay81 2.1设置模拟条件
^t,sehpR:l
?.Z4GWyXa <RH2G 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 5xKo(XNp |zhVl J%]</J 2.3创建掩膜并生成多畴结构
`IL''eJug_ ?hu}wl) 3. 结果分析 QS.t_5<U 3.1 指向矢分布和透过率
Q'xZ\t ?Ho~6q8O@ r/E'#5 Q 3.2所有畴的V-T曲线
F*Lm=^: Dg(882#_ #;,dk(URo 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
,ND}T#yTR