1. 建模任务 o4`hY/<t 1.1
模拟条件
C+?Hm1 模拟区域:0~10
bBu,#Mc 边界条件:Periodic
*-+&[P]m 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
IC#>X5 单位长度:0.5
?Eg(Gu.J
0]>u)% pA`+hQNN 1.2堆栈
结构 wHsYF` 8MK>)P o) 2. 建模过程 VcAue!MN 2.1设置模拟条件
8yRJD[/S
AK&S5F>D+B GT~)nC9f 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 *"R|4"uy ;lq;X{/ aHs^tPg 2.3创建掩膜并生成多畴结构
XOxr?NPQ^ il}%7b- 3. 结果分析 4,..kSA3iw 3.1 指向矢分布和透过率
?f#y1m W!%]_I!&K T#M,~lD 3.2所有畴的V-T曲线
L=c!:p|7) un shH < 6$fHtJD: 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
6S\C}U/