1. 建模任务 IE|$>q0Z 1.1
模拟条件
^v,^.>P 模拟区域:0~10
Kp"o0fh<9 边界条件:Periodic
Q=+KnE=h 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
`'g%z: ~ 单位长度:0.5
E)`+1j
fQv^=DI# -JcfP+{wS 1.2堆栈
结构 U*6r".sz l<gg5 Zea 2. 建模过程 `=FfzL 2.1设置模拟条件
s Ce{V*ua
{AB0 PM;- !#>{..}}3
2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 m:'fk;khN v67o>`<$ aK,G6y 2.3创建掩膜并生成多畴结构
-qs9a}iL #/YKA{ 3. 结果分析 rHP5;j<] 3.1 指向矢分布和透过率
2?HLEiI1 or0f%wAF {|
Tl3 3.2所有畴的V-T曲线
R7vO,kZ6Q
B[8 Jz3u r)| 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
f 1]1ZOb