1. 建模任务 nBh+UT} 1.1
模拟条件
Qs6<(zaqkt 模拟区域:0~10
LOh2eZ"n 边界条件:Periodic
:gVUk\) 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
HK;NR.D 单位长度:0.5
FY1iY/\Cn
st-{xC#N# Q+:y 1.2堆栈
结构 Br1R++] NkZG 2. 建模过程 2~4:rEPJ: 2.1设置模拟条件
w0Qtr>"
zF1!a ci0A!wWD 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 TZn
15-O O0 'iq^g ~tDYo)hH8 2.3创建掩膜并生成多畴结构
~k"+5bHa* broLC5hbQU 3. 结果分析 z0z@LA4k6@ 3.1 指向矢分布和透过率
~6G
`k^!
kf,
&t T5XXC1+ 3.2所有畴的V-T曲线
jK|n^5\ B*,6;lCjX !~ox;I}S 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
Obs#2>h