1. 建模任务 (VN'1a ( 1.1
模拟条件
3T]cDVQ_ 模拟区域:0~10
Y1sK sdV 边界条件:Periodic
}DjVZ48 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
RPeH [M^ 单位长度:0.5
p7`9
d1n
Y]`=cR`/" k}<H 1.2堆栈
结构 P8dMfD*"E zFO0l). 2. 建模过程 }#e=*8F7 2.1设置模拟条件
kn>qX{W
O
]
!tK Z.@n7G 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 VM<0_R24z iExKi1knx k CGb~+ 2.3创建掩膜并生成多畴结构
R||$Rfe K*Ba;"Ugeg 3. 结果分析 }\8-&VoY#X 3.1 指向矢分布和透过率
!L9|iC:8 iY@}Q " p.(+L^-= 3.2所有畴的V-T曲线
JP\jhkn 3
I%N4K4 zB+e;x f | 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
[|*7"Q(