1. 建模任务 \XV8t|* 1.1
模拟条件
#z.n?d2Gd 模拟区域:0~10
Hq::F? 边界条件:Periodic
4vWiOcJF!O 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
GWuKDq 单位长度:0.5
d-1D:Hs?
x;yvv3-$ N s0,Z#Z+ 1.2堆栈
结构 02t({>` ["Ts7;q9[ 2. 建模过程 >4luZnWMI 2.1设置模拟条件
56<U xIa~
4E 5;wH #%nV\ Bl 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 Gh=I2GSo -V6caVlg Tph^o^ 2.3创建掩膜并生成多畴结构
N
Nk G7" (,L` 5 3. 结果分析 o{#aF=`{ 3.1 指向矢分布和透过率
46D`h!7L '4i8&p`/ r'{N_|:vv 3.2所有畴的V-T曲线
<L4$f(2 5e,u*J] Xrb7.Y0d 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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