主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: /?9e{,\s • 定义MMI耦合器的材料; _U.8\J2 • 定义布局设定; ?P4` • 创建一个MMI耦合器; BYhPOg[ • 插入输入面; g5M-Vu • 运行模拟; nR!qolh • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 c5mv4 MC z ,P:i$ 1. 定义MMI耦合器的材料 &julw;E 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: <*3wnpj_ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ L_<&oq "@$o'rfT 图1.初始性能对话框
c42p>}P[ 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” Wa2V Z )fA9,yNJ3 图2.轮廓设计窗口
%UV_
3 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 oMkB!s
1 mFc]1W z=?ainnKx 图3.电介质材料创建窗口
qV/"30,K 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: AZI%KM[ − Name : Guide ~.VWrHC − Refractive Index (Re) : 3.3 6:330"9 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 f|m.v
+7k rQ30)5^V| 图4.创建Guide材料
[\ @!~F{ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: RgRyo
− Name : Cladding 85w
D<bN27 − Refractive Index (Re) : 3.27 O>n L;I − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 `5O<U~'d E@0wt^ 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 +ulX(u(,
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: JBeC\ \QX − Name : Guide_Channel OAOG&6xu8 − 2D profile definition: Guide 0aQNdi)b − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 i._d^lR\t sN5x\9U 图6.构建通道
xZGR<+t 2. 定义布局设定 yE{l
Xp;
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: |>j=#2
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 n!ea)+^
− Width:2.8 <saS2.4
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 \^|ncu:T
− Profile:Channel-Guide A;SRm<,
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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*q|.H9
K(
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: 8ENAif
− Length:5300 &|n*&@fF
− Width:60 O JvEq@
图8.设置晶圆尺寸
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3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: sFC1PdSk4T
− Material:Cladding 0}Kl47}aD
− 点击OK以激活布局窗口 MCz+l0
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 5c'rnMW4+p
图10.默认情况下布局窗口显示
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3|P P+<o
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: ""d3ownKhw
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 \<i#Jn+)
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 0EPF;
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− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 ;#~rd8Z52
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 ZS^EKz~ +
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 1?E\2t&K
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: 7QQ3IepP
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 cM C1|3
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 @B7;
图13 .绘制第一个线性波动
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