主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: # UP,;W • 定义MMI耦合器的材料; ]lG_rGw • 定义布局设定; HzFt • 创建一个MMI耦合器; tPMgZ • 插入输入面; r(`8A:#d • 运行模拟; @Reh?]# v • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 SO8|]Fk d-_93 1. 定义MMI耦合器的材料 KJ05Zx~uma 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: ]c~ rPi 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ "1pZzad
*axza~d 图1.初始性能对话框
0Zp<=\!; 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” f(zuRM^5 =r@ie>*U 图2.轮廓设计窗口
'p{Y{
$Q 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 f/|a?n2\hm
f{oxF?|89 8?]%Qi 图3.电介质材料创建窗口
ek_i{'hFd 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: +eVpMD(
l − Name : Guide YpbdScz − Refractive Index (Re) : 3.3 <jg
wdbT"6 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 hKH
Q!`&v :5qqu{GL 图4.创建Guide材料
9EY_R&Yq% 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: 3k|~tVM − Name : Cladding 2oNPR+
- − Refractive Index (Re) : 3.27 u6CMRZ$ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 9Y*Vz QE Mz#S5 s 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 sC'A_ -'
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: 2* cKFv{ − Name : Guide_Channel 8Gzs − 2D profile definition: Guide [~rk` − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 ,L;c{[*rh #v]aT
]} 图6.构建通道
,J4a~fPf 2. 定义布局设定 r+WPQ`Ar
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 3hpz.ISk
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 :X'U`jE
− Width:2.8 qy0_1xT-
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 GCmVmOdKr
− Profile:Channel-Guide X/C54%T ~
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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E EnTq
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: ?}>B4Z)
− Length:5300 g\mrRZ/?
− Width:60 mZ.6Njb
图8.设置晶圆尺寸
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gB'Ah -@,P
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: X<bj2 w
− Material:Cladding pJ@DHj2@
− 点击OK以激活布局窗口 k>@^M]%
图9.晶圆材料设置
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5v03<m0`y
4) 布局窗口 H0Gp mKYW
图10.默认情况下布局窗口显示
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Q $,kB<M
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: n"VE!`B
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 6P[O8
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 %QcG^R
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 Yka yT0!
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 a!]QD`
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 o+WrIAR
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: KPvYq?F>4
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 fP4IOlHkE
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 Zvw3C%In
图13 .绘制第一个线性波动
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