主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: 5e$~)fL • 定义MMI耦合器的材料; ~.UrL(l= • 定义布局设定; AgFVv5 • 创建一个MMI耦合器; xKQ+{"?-^g • 插入输入面; #a`a$A • 运行模拟; =,Dqqf • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 ~ECD`N<YF d/bEt& 1. 定义MMI耦合器的材料 qe!fk?T} 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: >B2:kY F 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ yil[gPy4B h\nI!{A0 图1.初始性能对话框
}; f#^gz' 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” X LL/4 ) 9'{}!-(xR 图2.轮廓设计窗口
Yc,7tUz# 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 6(G?MW.
%*&UJpbA Sqo
:- 图3.电介质材料创建窗口
i { \%e 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: #m[|2R − Name : Guide ,t`Kv1 − Refractive Index (Re) : 3.3 r8,romE$ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 J41G&$j( ( YQWbOk 图4.创建Guide材料
Nkp)Ax& 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: wc!onZX5 − Name : Cladding w~
[b*$ − Refractive Index (Re) : 3.27 xA9:*>+> − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 b^p"|L h=(DX5:A 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 x-?{E
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: CMn{LQcC − Name : Guide_Channel xj[(P$,P − 2D profile definition: Guide ap{2$k , − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 ]ut5S>," +reor@h 图6.构建通道
TpHfS]W-P 2. 定义布局设定
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为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: D<V~f B
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 -.T&(&>^
− Width:2.8 Ma+$g1$
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 |]aE<`D
− Profile:Channel-Guide M?[h0{^K
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
m+#iR}*1L
zkO<-w
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: xCYE
B}o9r
− Length:5300 i:Zm*+Gi
− Width:60 F35#dIs`&
图8.设置晶圆尺寸
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3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: 8
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− Material:Cladding ;q:jl~
− 点击OK以激活布局窗口 'w14sr%
图9.晶圆材料设置
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x3u4v~ "-
4) 布局窗口 '&sE=.
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: hAm`NJMSO
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 1ylk4@`
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 ;L,mBQB?0b
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 ixV0|P8,c
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 JR@.R
,rII
图12.最终布局显示
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YI=
3. 创建一个MMI耦合器 HmZ{L +"
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: Vur bW=~g
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 ^mb[j`CCt
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 hRq3C1mR
图13 .绘制第一个线性波动
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