主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: Dk|S`3 • 定义MMI耦合器的材料; l"o@.C}f/ • 定义布局设定; [J\5DctX;c • 创建一个MMI耦合器; N}nU\e6 Y • 插入输入面; znhe]&Fw • 运行模拟; [Ua4{3# • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 5 g99t$p9 7oA$aJQ 1. 定义MMI耦合器的材料 1QtT*{zm$F 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: fF[n?:VV 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
FMhwk"4L Fzh%#z0
图1.初始性能对话框
B<DvH"+$ 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” Smo^/K`f9 j+]>x]c0 图2.轮廓设计窗口
`GC7o DL 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 )52:@=h*l
OJ8W'"`L& <%hSBDG!x 图3.电介质材料创建窗口
f<9H#S: 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: $5r[YdnY< − Name : Guide GBu&2} − Refractive Index (Re) : 3.3 RO'MFU<g − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 cZ\#074u/ l*HONl&j 图4.创建Guide材料
c_}i(HQ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: 1""9+4 − Name : Cladding |@]J*Kh − Refractive Index (Re) : 3.27 Y fk[mo − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 Et(Q$/W P[ n`X 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 LT!B]y
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: wblEx/FqE^ − Name : Guide_Channel w4:S>6X − 2D profile definition: Guide ;nji< − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 1d7oR`qr s6OnHX\it7 图6.构建通道
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2. 定义布局设定 CY)/1 # J
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: x8.7])?w
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 dl'pl
− Width:2.8 "^ydoRZ
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 )^
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− Profile:Channel-Guide i&-g 0
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: T.d+@ZV<#
− Length:5300 3^q,'!PfB
− Width:60 "@Bc eD
图8.设置晶圆尺寸
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6LL/wemq
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: gHQ[D|zu
− Material:Cladding LVq3R 8A
− 点击OK以激活布局窗口 y1,L0v$=}
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口
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图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: Ym(^ih
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 UA!h[+Z
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 dD1`[%
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 pM@|P,w {
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 XPd>DH(Yc
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 DOaEz?2)
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: >"f,'S5*
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 %'kaNpBz
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 jx!)N>
图13 .绘制第一个线性波动
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