主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: >G]? • 定义MMI耦合器的材料; m7JPH7P@BM • 定义布局设定; ya:sW5fk • 创建一个MMI耦合器; {5>3;. • 插入输入面; Ba<ngG
! • 运行模拟; kEO1TS • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 aSUsyOe xJ-*%'(KZ 1. 定义MMI耦合器的材料 +Y7Pg'35 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: V|TA:&:7 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ 9hy'DcSy, 9qEOgJ 图1.初始性能对话框
b7bSTFZxC 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” ! Q!&CG5l -TgUyv. 图2.轮廓设计窗口
iAK/d)bq 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 %*6RzJO6
m=H_?W; kfXS_\@iW1 图3.电介质材料创建窗口
6z Ay)~ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: |"Z-7@/k$i − Name : Guide wS V@=)H\: − Refractive Index (Re) : 3.3 mmHJh\2v − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 gt/!~f0r |) O): 图4.创建Guide材料
pw=F' Y@N
5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: [<yz)<< − Name : Cladding mf}\s]_c − Refractive Index (Re) : 3.27 6+iK!&+= − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 B%fU' Tv\HAK<N 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 0(8gQ
2n
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: _%%yV − Name : Guide_Channel (etUEb^}T − 2D profile definition: Guide
DwXU − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 !N1J@LT5h ugI#ZFjJWE 图6.构建通道
\n_3Bwd~ 2. 定义布局设定 +8f>^*:u
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: HyEa_9
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 LJWTSf"f?
− Width:2.8 z?kd'j`FG
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 Ihg~Q4t
− Profile:Channel-Guide i:d`{kJ|[
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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9 ZGV%Tw
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: 1i3V!!r
− Length:5300 \45(#H<$
− Width:60 Ff<)4`J
图8.设置晶圆尺寸
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hO6RQ0Iv@
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: ,]7XMU3
− Material:Cladding 6.'$EtH
− 点击OK以激活布局窗口 y"-{$ N
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 dF
e4K"
图10.默认情况下布局窗口显示
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/lJjQ]c;>
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: JpK[&/Ct
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 Fg=v6j4W
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 O&V[g>x"U
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 p+[}Hxx=
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 hJ[UB
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 mgVML&^
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: \Yq0 zVol
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 {y6C0A*
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 :B.G)M\
图13 .绘制第一个线性波动
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