主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: M5T4{^i • 定义MMI耦合器的材料; ])H[>.?K • 定义布局设定; aXRf6:\% • 创建一个MMI耦合器; pkT26)aW • 插入输入面; J0O wzO • 运行模拟; s>1Wjz2M • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 ?'+kZ| >Eqr/~Q 1. 定义MMI耦合器的材料 ?)?}^ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: &(i_s 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ /YT _~q=: U)iq 图1.初始性能对话框
xfADks2w 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” :~%{ Y;[+ ^J*a 图2.轮廓设计窗口
Xjs`iK=w 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 Auk#pO#
dxK3462 VFLW@ 图3.电介质材料创建窗口
RSK5 }2 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: /7jb&f − Name : Guide ^M~Z_CQL2 − Refractive Index (Re) : 3.3 FoB^iA6e − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 9A!B|s )0N^rw kW 图4.创建Guide材料
X&s"}Hf 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: d_aHUmI^" − Name : Cladding 9L9qLF5 t − Refractive Index (Re) : 3.27 \<0xg[ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 x#c%+ SKeX~uLz 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 UNJAfr P
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: =]m,7 v Rq − Name : Guide_Channel c4Wl^E8 − 2D profile definition: Guide $
n"*scyI − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 z6x`O-\ ViYfK7Z 图6.构建通道
!@4 i:,p@ 2. 定义布局设定 "^NsbA+
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: jHQnD]Hr
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 C q)Cwc[H
− Width:2.8 "xV0$%
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 Qs\*r@6?
− Profile:Channel-Guide 6'45c1e
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
Df5!z \dx
,jq:%Y[KZ
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: t+Au6/Dx?
− Length:5300 o9]i
{e>L
− Width:60 EaKbG>
图8.设置晶圆尺寸
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3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: Kn,td:(
− Material:Cladding IaT\ymm`
− 点击OK以激活布局窗口 /X;/}fk
图9.晶圆材料设置
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Yaj}_M-
4) 布局窗口 LDh,!5G-M
图10.默认情况下布局窗口显示
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+=K =B
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: :JIJ!Xn)
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 DPr~DO`b
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 SW)jDy
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 qPoN 8>.
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 %&j\:X~A
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 eI,H
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: )fQ1U
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 _F},Wp:Oh
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 6u>]-K5
图13 .绘制第一个线性波动
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3?e~J"WXC5