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    [技术]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

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    只看楼主 正序阅读 楼主  发表于: 09-17
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: mhXSbo9w-  
    • 定义MMI耦合器的材料 jj&4Sv#>  
    • 定义布局设定; Bt\z0*t=s  
    • 创建一个MMI耦合器; zLa3Q\T  
    • 插入输入面; XA%a7Xtni  
    • 运行模拟 V7qc9Gd@I  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 NX5A{  
    }CyS_Tc  
    1. 定义MMI耦合器的材料 !Ui"<0[,  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: _\y%u_W  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ {g7[3WRy  
    W18I"lHeh  
    图1.初始性能对话框
    J"TM[4^\Y  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” k5=VH5{S  
    &K*x[  
    图2.轮廓设计窗口
    =:;KY uTr  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 },=0]tvZG#  
    53w@  
    EC6Q<&]Iw  
    图3.电介质材料创建窗口
    e~wJO~  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: @^)aUOe  
    − Name : Guide i47xF7y\  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 4[eQ5$CB<u  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ERE1XOe=D  
    j+>#.22+  
    图4.创建Guide材料
    (DW[#2\.  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: 8sV_@<l<X  
    − Name : Cladding N%,!&\L  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 XazKS4(  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ~GWn>  
    N{$'-[  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 +C(v4@=nd  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: t#0/_tD  
    − Name : Guide_Channel nnZ|oEF  
    − 2D profile definition: Guide 1M4I7 *r  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 TyCMZsvM,  
    &!kr &g#]  
    图6.构建通道
    N1LZXXY{  
    2. 定义布局设定 o~*5FN}%+l  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: {[&_)AW6m%  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 Z{|U!tn  
    − Width:2.8 BK_x5mGu3  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 O-M4NKl]6  
    − Profile:Channel-Guide '~1uJ0H  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    :V%XEN)  
    K`9ph"(Z  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: r#K;@wu2  
    − Length:5300  !lf:x  
    − Width:60 "o*zZ;>^  
    图8.设置晶圆尺寸
    }/%(7Ff{  
    }wJDHgt]-p  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: <V3N!H_d  
    − Material:Cladding =/k*w#j  
    − 点击OK以激活布局窗口 mkCv  f  
    图9.晶圆材料设置
    Y2DR oQ  
     4I> I  
    4) 布局窗口 \gh`P S-B  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    {&'u1yR  
    v;9VX   
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: s ^/<6kwO  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 ^XV=(k;~bX  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 M. Fu>Xi  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 Om% 9 x  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 Lmy ^/P%  
    图12.最终布局显示
    dnby&-+T  
    {5f? y\Z  
    3. 创建一个MMI耦合器 tNskB`541  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: y: 0j$%^  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 B}.G(-u?7  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 r$~w3yN)v  
    图13 .绘制第一个线性波动
    3q=A35*LT>  
    ^oFg5  
     
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