主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: 4mci@1K#^ • 定义MMI耦合器的材料; Lw<%?F ( • 定义布局设定; %Hpz^<` • 创建一个MMI耦合器; iUOGuiP • 插入输入面; KY9&Ky+2 B • 运行模拟; (;2]`D [x • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 NaC}KI` 5^e|802 1. 定义MMI耦合器的材料 ZJ'FZ8Sx 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: r!)jxIL\ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ q/dja Yg!xlrxA 图1.初始性能对话框
sSsRn*LN-: 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” !3Ed0h]Bfa F(;95TB 图2.轮廓设计窗口
R zn%!d^$> 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 _Bq [c
m:C |R-IL X@^"@ 图3.电介质材料创建窗口
q":0\ar&QT 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: :eL
ja* − Name : Guide /u pDbP.O − Refractive Index (Re) : 3.3 a{4RG(I_ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 jbs)]fqC; }x+s5a;!3/ 图4.创建Guide材料
F:cenIaBF 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: ?gl[=N V − Name : Cladding gB}UzEj^< − Refractive Index (Re) : 3.27 V38v2LI − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 DtOL=m]s t_{rKb,
图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 rhO8 v
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
1ZRSeh − Name : Guide_Channel |C3~Q{A − 2D profile definition: Guide {GKq Ou − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 ZfSAXr "( c@)}zcw* 图6.构建通道
p'YNj3&u 2. 定义布局设定 @1tv/W
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: )NCSO b
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 x[1(cj
− Width:2.8 6dQ]=];
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 Z*M-PaU}
− Profile:Channel-Guide ` EgO&;1D)
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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<:Z-zQp)?
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: YMIX|bj6Y
− Length:5300 jjU("b=
− Width:60 $+Zj)V(
图8.设置晶圆尺寸
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UWW_[dJr
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: YRs32vVz
− Material:Cladding <s(<ax30
− 点击OK以激活布局窗口 B4ky%gF4
图9.晶圆材料设置
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D_-<V,3t
4) 布局窗口 ["
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图10.默认情况下布局窗口显示
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O*y@4AR"S
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: t*cVDA&K