主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: }sFHb[I & • 定义MMI耦合器的材料; y3x_B@}BY • 定义布局设定; s[hD9$VB> • 创建一个MMI耦合器; *d=pK*g • 插入输入面; Px<;-H` • 运行模拟; DD1S]m • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 H_{Yr+p ?g 3sv5\u 1. 定义MMI耦合器的材料 0:XmReO+k 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: ||hd(_W8 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ b{A#P? J? C"be= 图1.初始性能对话框
O_~\$b 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” R7#B_^ $ p|zW2L 图2.轮廓设计窗口
>">-4L17m 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 .L}ar7
+U[A.^t BwR)--75 图3.电介质材料创建窗口
QgP
UP[ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: k3&Wv − Name : Guide C[75!F − Refractive Index (Re) : 3.3 [ACa<U/ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ]c08` Hg]r5Fe/c 图4.创建Guide材料
T!8,R{V]4 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: GE|V^_|i − Name : Cladding =cxjb,r − Refractive Index (Re) : 3.27 "_lSw3 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 E;yP.<PW FbF P 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 KcHW>IBxdv
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: D_g+O"];P − Name : Guide_Channel Ls( &. − 2D profile definition: Guide /)j:Y:5 − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 %k9GoX_ Zf ;U=]R 图6.构建通道
7"1M3P5*8 2. 定义布局设定 [S4<bh!
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: tks1*I$S<
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 `rvS(p[s
− Width:2.8 d-X<+&VZ
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 3{CXIS
− Profile:Channel-Guide ,#nyEE
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
Mp}U>+8
ol-U%J
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: <d8Yk>R
− Length:5300 Y-v6xUc{F
− Width:60 o^mW`g8[
图8.设置晶圆尺寸
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dj 4:r!5_
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: H+` Zp
− Material:Cladding 8K'3iw>z
− 点击OK以激活布局窗口 U 1vZr{\
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 w=,bF$:fIW
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: ",Mr+;;:[
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 ;O+=
6>W
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 xQ%N%
`
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 m9 1Gc?c
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 4S5U|n
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 Cs))9'cD]
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: UyENzK<%u
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 8MU+i%hd
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 s+DOr$\
图13 .绘制第一个线性波动
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