主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: 33O)k*g • 定义MMI耦合器的材料; 5s#R`o%Z • 定义布局设定; bJANZn|H • 创建一个MMI耦合器; bGhhh/n • 插入输入面; $#F;xys • 运行模拟; N'I?fWN!;R • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 #)Ep(2 A&D2T 1. 定义MMI耦合器的材料 _F! :(@} 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: D`1I;Tb# 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ 5%EaX?0h+ rve7YS' 图1.初始性能对话框
1hF2eNh 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” |}l@w+N3 t)YFTO"Jj 图2.轮廓设计窗口
D%6ir*%T 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 Bi'I18<
6wa<'! pHq{S;R2G 图3.电介质材料创建窗口
l_UXrnm/N 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
['Hp?Q|k − Name : Guide ]|H]9mys98 − Refractive Index (Re) : 3.3 mvUVy1-c − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ?,.HA@T% 40`9t Xn 图4.创建Guide材料
#-l!`\@ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: V5hp
Y ] − Name : Cladding pE9aT5
L − Refractive Index (Re) : 3.27 Tb>IHoil − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ,e}mR>i=e ]9bh+ 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 ~nLkn#Z
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: 2<`gs(oxXe − Name : Guide_Channel gt].rwo" − 2D profile definition: Guide :
OSmr − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 ; |E! |w :< KSf#O 图6.构建通道
w*|= k~z 2. 定义布局设定 Requ.?!fG;
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: %!N2!IiVs
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 'lQ
− Width:2.8 ?yK%]1O
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 fRca"v V
− Profile:Channel-Guide j TB<E=WC
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
"<g?x`iz
-oaG|
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: d()zW7}W
− Length:5300 8`R +y
− Width:60 ?=pZmvQg
图8.设置晶圆尺寸
Kt/+PS
h^.tomg8
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: .(gT+5[
− Material:Cladding a:(: :m
− 点击OK以激活布局窗口 _Ex*%Qf.
图9.晶圆材料设置
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Ppi- skT
4) 布局窗口 dA_V:HP
图10.默认情况下布局窗口显示
P!>{>r4
cq@_*:~Or
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: R-2FNl
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 [F BCz>
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 E)rOlh7
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 W>t&N
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 S4aHce5PXA
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 ,_5YaX:<4
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: jx5[bUp4u
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 /I`bh
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 !?us[f=g%
图13 .绘制第一个线性波动
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