主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: .Jx9bIw • 定义MMI耦合器的材料; N_eX/ux • 定义布局设定; Fd]\txOXj • 创建一个MMI耦合器; Z@a9mFI? • 插入输入面; VhL{'w7f • 运行模拟; ]z/Zq • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 (8$k4`T> :bu>],d-8' 1. 定义MMI耦合器的材料 {\H/y c|@ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: sm,VYYs 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ ]\-^>!F #K S$TmZk= 图1.初始性能对话框
e^p
+1-B 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” (jjTK'0[ ?eH&'m}- 图2.轮廓设计窗口
F{06 _T 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 Snp|!e
KmG Od+6 -J 图3.电介质材料创建窗口
<8,o50`B 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: zgx&Pte − Name : Guide %^sTU4D5 − Refractive Index (Re) : 3.3 7tUA>;++ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 }En De7Ts 图4.创建Guide材料
F+R?a+e 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: pl@O
N"=[ − Name : Cladding O[tvR:Nh − Refractive Index (Re) : 3.27 k@zy − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 W} WI; cI {3;AwhN0H 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 `&\Q +W
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: r/pH_@ − Name : Guide_Channel XL#[%X9 − 2D profile definition: Guide Vk<
LJ
S − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 QaUm1i# rpeJkG@+ 图6.构建通道
|,9JNm$ 2. 定义布局设定 >U F
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: +]=e;LN $0
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 HeBcT^a
− Width:2.8 Qt_dEl
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 .MO\uh0N
− Profile:Channel-Guide 5F`;yh+e
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
(c0A.L)
W3`>8v1?o
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: 21k5I #U
− Length:5300 fXrXV~'8
− Width:60 6'\6OsH
图8.设置晶圆尺寸
t78k4?
oIUy -|
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: zD?oXs
− Material:Cladding {vAE:W.s
− 点击OK以激活布局窗口
:W b j\
图9.晶圆材料设置
>S$Z
U,nEbKJgk
4) 布局窗口 GfM;saTz{
图10.默认情况下布局窗口显示
l7&$}x-
ECv)v
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: f~ }H
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 ySI~{YVM
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 >0Q|nCx
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 ^CwR!I.D}4
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 %Uz(Vd#K
图12.最终布局显示
d)~Fmi;
C8F 7bG8c
3. 创建一个MMI耦合器 kdGT{2u
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: s-dLZ.9F
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 ^>"z@$|\:
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 <&)v~-&O
图13 .绘制第一个线性波动
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