主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: =y-!k)t • 定义MMI耦合器的材料; ^2;(2s • 定义布局设定; (|a$N.e&K • 创建一个MMI耦合器; :af;yu • 插入输入面; peTO-x^a- • 运行模拟; gcW{]0%L^ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 C>`.J_N w1"gl0ga$ 1. 定义MMI耦合器的材料 :U-US|)(2 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: ofPF} 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ ?;r8SowZ7 DtJTnvG~B 图1.初始性能对话框
=4M.QA@lI! 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” rMXOwkE ej"o?1l@ 图2.轮廓设计窗口
}KaCf,O 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 ]g8i>,G
rz[uuY7 f?>-yMR| 图3.电介质材料创建窗口
@^:7UI_ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: 5;K-,"UQ − Name : Guide BudWbZ5>Ep − Refractive Index (Re) : 3.3 JW% /^' − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 z"s%#/# An8%7xa7 图4.创建Guide材料
/:Z~"Q*r 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: &8X
.!r`f − Name : Cladding ,2
g M- − Refractive Index (Re) : 3.27 6Bq~\b^ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 "3Xv%U9@ S-M)MCL 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 7$1fy0f[l
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: }W__ffH − Name : Guide_Channel oXQ<9t1( − 2D profile definition: Guide veX"CY`hn − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 _@BRpLs:4 k binf 图6.构建通道
%eutfM-?6 2. 定义布局设定 f- k|w%R@
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: c+Q.?vJ
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 i!1ho T$
− Width:2.8 u^aFj%}]L
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 %EJ\|@N:
− Profile:Channel-Guide wZo.ynXT
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
{;Y 89&*R
_X,[]+ziu%
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: $IxU6=ajn
− Length:5300 L=
:d!UF
− Width:60 ~$&:NB1~q
图8.设置晶圆尺寸
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B0b[p*gIl
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: "W &:j:o
− Material:Cladding |b$>68:
− 点击OK以激活布局窗口 WNn[L=f
图9.晶圆材料设置
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3wN?|N
4) 布局窗口 ;0w ^ud
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: FGDGWcRw~
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 (kWSK:l
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 -y&v9OC2-
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 k#axt
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图11.调整Z方向和X方向的显示比率 3d*&':
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 X(Y#9N"
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: e2]4a3
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 e/"yGQu
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 oUJj5iu}
图13 .绘制第一个线性波动
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