主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: @u2nG:FG • 定义MMI耦合器的材料; j5:{H4? • 定义布局设定; !%?X% @9 • 创建一个MMI耦合器; O`hOVHDQ • 插入输入面; $Q|t^( • 运行模拟; pcw^W
• 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 /*bS~7f1 ODH@/ 1. 定义MMI耦合器的材料 y3K9rf 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: 5Qik{cWxBq 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ lc=C B{SzC=4f} 图1.初始性能对话框
TK;*:K8oe 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” ( {H5k'' rQbL86+ 图2.轮廓设计窗口
*Ki ],>_~ 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 1;[\xqJ
sgo({zA`i !\H!9FR 图3.电介质材料创建窗口
u4=j!Zb8} 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: 0f
1Lu)
2 − Name : Guide Yo
c N@s − Refractive Index (Re) : 3.3 D!~-53f@ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 HZdmL-1Z^+ _gB`;zo 图4.创建Guide材料
z$E+xZ 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: .Mw'P\GtM − Name : Cladding ho_;;y − Refractive Index (Re) : 3.27 d9[*&[2J| − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 9
I> 3p4] :xfD>K 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 QH6Lb%]/
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: 0sRby! − Name : Guide_Channel 8ltHR]v − 2D profile definition: Guide *lg1iP{] − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 qbkvwL9 Rv6{'\: 图6.构建通道
lC+p2OG^[ 2. 定义布局设定 su(y*187A
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: /b20!3
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 UcDJ%vI
− Width:2.8 I;L$Nf{v
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 5,'?NEyw
− Profile:Channel-Guide vfJ}t#%UH
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
UHz*Tfjb
{>G\3|^D
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: 3KfZI&g
− Length:5300 r+0"1\f3
− Width:60 7Rj!vj/
图8.设置晶圆尺寸
Gu<3*@Ng
cU5x8[2
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: \0Zm3[
− Material:Cladding 9tXLC|yl?
− 点击OK以激活布局窗口 rSB"0W7
图9.晶圆材料设置
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Nm#VA.~
4) 布局窗口 l2=.;7IV
图10.默认情况下布局窗口显示
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Vf*!m~]Vqi
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: ;k/y[ x}
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 #;a
1=8H
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 WKqNJN C
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 //:.k#}~B
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 ,v$gQU2
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 =+97VO(w]G
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: AShJtxxa
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 '+Dn~8Y+9
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 xzy7I6X
图13 .绘制第一个线性波动
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