主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： T-8J • 定义MMI耦合器的材料； 'b[0ci: • 定义布局设定； h~miP7,c<u • 创建一个MMI耦合器； fLB1)kTS • 插入输入面； ) 5yj/0oT • 运行模拟； o3h -=t • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 0kLEBoOh <_:zI r, 1. 定义MMI耦合器的材料 ' G#SL qZy 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： Lk.h.ST 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ /iC_!n u ;^-:b(E 图1.初始性能对话框
J22r v( 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” _ #'9kx|) ,w `~K:b. 图2.轮廓设计窗口
a %K} j\M 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 xm^95}80yh
r!K|E95oj9 5py R ~+ 图3.电介质材料创建窗口
*not. 2+ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： N@1 p]\ − Name : Guide _413\`%8? − Refractive Index (Re) : 3.3 K]"Kf{bx − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 Qpu3(`d< m6U8)!)T 图4.创建Guide材料
~A >o O-0K 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： L[C*@
uK − Name : Cladding %f!iHo+Z − Refractive Index (Re) : 3.27 H;I~N*ltJ( − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 X8CVY0<o )%mAZk-*;^ 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 M#M?1(O/NE
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： \A(5;ZnuD − Name ： Guide_Channel pP\h6b+B − 2D profile definition: Guide M+ aEma − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 v2J0u:#, RvW.@#E H0 图6.构建通道
4 v qNule 2. 定义布局设定 {L9yhYw
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： OoaY
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 ?} sOG?{
− Width：2.8 Z[}
$n-V
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 295w.X(J
− Profile：Channel-Guide 'h}7YP, w
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
s*JE)
B||c(ue
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： x!?Z *v@I
− Length：5300 t!jwY /T
− Width：60 O5;-Om
图8.设置晶圆尺寸
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pUL s Gb
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： u(hC^T1
− Material：Cladding a: u}d7T3e
− 点击OK以激活布局窗口 l0`'5>
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 0j $ OE
图10.默认情况下布局窗口显示
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7 bT
/KLU
5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： vlQ0gsXK
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 }n95< {
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 kfCKhx
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 z!CD6W1n
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 8c).8RL f
图12.最终布局显示
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U ;gp)=JNT
3. 创建一个MMI耦合器 fuyl/bx}
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： Qa?aL
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 JS7dsO0;
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 ifrq
图13 .绘制第一个线性波动
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