主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: -#R63f& • 定义MMI耦合器的材料; }vg|05L • 定义布局设定; `YO& • 创建一个MMI耦合器; p\Iy)Y2Lf! • 插入输入面; O3pd5&^g • 运行模拟; ]v:"
• 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 _Ih"*~ r/& fB'Jo<C 1. 定义MMI耦合器的材料 fuWAw^& 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: uA cvUN-@ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ S"`{ JCW$ ~RZN+N 图1.初始性能对话框
I*/:rb 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” %ofq rd"!&i 图2.轮廓设计窗口
'Zqt~5=5 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 yN06` =
l_,6<wWp f lt'~fe 图3.电介质材料创建窗口
6="o&! 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: qLw^Qxo − Name : Guide ad=7FhnIa3 − Refractive Index (Re) : 3.3 "Nz"|-3Irv − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 $>Ow<!c $_e{Zv[ 图4.创建Guide材料
8cRc5X 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: ?9?o8! − Name : Cladding @]42.oP − Refractive Index (Re) : 3.27 M. _5mZ{ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 lLK||2d i.7$~} 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 L:Faq1MG
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: +aqQa~}r − Name : Guide_Channel "cbJ{ G1pk − 2D profile definition: Guide !"aGo1$$ − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 {96NtR0Z y5VohVa` 图6.构建通道
K)h<#F 2. 定义布局设定 nFro#qx
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: >,rzPc)
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 ZvK3Su)f1
− Width:2.8 D>`{f4Y
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 %f(4jQ0I
− Profile:Channel-Guide dkg+_V!
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
t*Z-]P
− Length:5300 A}3E)Qo=G
− Width:60 +LF=oM<
图8.设置晶圆尺寸
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3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: YYvX@f
− Material:Cladding |@?='E?h
− 点击OK以激活布局窗口 "'>fTk_
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 r 2{7h>
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: kjSzuqB
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 NCm=l
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 4&6cDig7*2
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 % 5BSXAc
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 >as+#rz1p
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 h^J :k
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: +^$;oG
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 nYj7r*e[
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 475jmQ{q
图13 .绘制第一个线性波动
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