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    [技术]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2025-09-17
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: 90]{4]y;  
    • 定义MMI耦合器的材料; M$AQZ')9  
    • 定义布局设定; <#5`%sa '  
    • 创建一个MMI耦合器; '$5o5\  
    • 插入输入面; J6*B=PX=(  
    • 运行模拟; Bg0 aLU)[  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 #^;^_  
    hXM2B2[  
    1. 定义MMI耦合器的材料 J"O#w BM9  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: "K$ y(}C  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ 4j h4XdH  
    ^"\., Y  
    图1.初始性能对话框
    fP 5!`8  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” p!w}hB598  
    ne\N1`AU  
    图2.轮廓设计窗口
    B\ a#Vtyut  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 ~*Ir\wE  
    ^Wz3 q-^  
    DUK.-|a7  
    图3.电介质材料创建窗口
    *tZ#^YG{(  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: dj0`Q:VZ  
    − Name : Guide 59I}  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 hT<:)MG)+K  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 _*w}"\4_  
    ,Uv8[ci%9  
    图4.创建Guide材料
    %C8fv|@:f  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: dLek4q `l  
    − Name : Cladding "UY.; P  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 W<uL{k.Kpd  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 A*:(%!  
    UW[{Y|oE  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 v1j]&3O  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: Eh)VU_D  
    − Name : Guide_Channel K{00 V#  
    − 2D profile definition: Guide :`ysq  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 #2!M+S  
    D|D1`CIM  
    图6.构建通道
    /fM6%V=Y  
    2. 定义布局设定 s!E-+Gw  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: kty,hAXe  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 }PY? ZG  
    − Width:2.8 K,IPVjS  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 PHa#;6!5  
    − Profile:Channel-Guide ~;;_POm  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    OQA3~\Vu  
    BVC{Zq6hi  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: VrokEK*qbY  
    − Length:5300 CFh&z^]PR  
    − Width:60 q t}[M|Q^r  
    图8.设置晶圆尺寸
    ^IGTGY]s  
    m`c(J1Et  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: lC1X9Op  
    − Material:Cladding vN7ihe[C  
    − 点击OK以激活布局窗口 x./jTebeO  
    图9.晶圆材料设置
    ZtEHP`Iin  
    *3<m<<>U  
    4) 布局窗口 _+8$=k2nM  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    XY| -qd}A  
    'eo2a&S2D  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: R^F99L  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 /d >fp  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 i c]f o  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 nu$LWC-  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 Drlt xI)  
    图12.最终布局显示
    Y#6@0Nn[G  
    I01On>"@7  
    3. 创建一个MMI耦合器 N_VAdNJ^:  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: {F k]X#j  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 \+MR`\|3  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 ,[bcyf  
    图13 .绘制第一个线性波动
    (>0d+ KT  
    zPV/{)S  
     
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