主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: Tnoy#w}Ve • 定义MMI耦合器的材料; i[/`9 AK • 定义布局设定; GUn$IPOM • 创建一个MMI耦合器; <%?!3 n* • 插入输入面; ToR@XL!%rP • 运行模拟; sWv!ig_ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 Z;~ 7L*| \=uD)9V 1. 定义MMI耦合器的材料 OF/hD2V 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: O;+
sAt 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ {4eI}p< fUq:`#Q 图1.初始性能对话框
^C'{# p" 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” i5cK5MaD suHisc* 图2.轮廓设计窗口
#
11<=3Yj 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 ek1<9"y
`Z^\<{z <f#pS[A 图3.电介质材料创建窗口
W:>XXUU 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: &}r-C97 − Name : Guide ^cCNQS}r − Refractive Index (Re) : 3.3 TeRH@oI − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 K_F"j!0 NA=m<n# 图4.创建Guide材料
#'dNSez5 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: q.VZ P − Name : Cladding 4JRQ=T|P7I − Refractive Index (Re) : 3.27 EV@yJ] − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 x
Nb7VUV7 tMH2 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 vj9'5]!~q
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: (_]D\g~ − Name : Guide_Channel @MP ;/o+ − 2D profile definition: Guide gg/2R?O] − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 q$PO.# Q^*4FH!W 图6.构建通道
KAgxIz!^-1 2. 定义布局设定 wZVLpF+7
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: L7[f-cK2:
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 liMw(F2
− Width:2.8 @r=,:
'Mt
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 t;`ULp~&
− Profile:Channel-Guide ZCuo YE$g
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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6O_l;A[=1
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: s|I$c;>
− Length:5300 VTwQD"oB
− Width:60 |
{Q}:_/q
图8.设置晶圆尺寸
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gC(@]%
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: i*r ag0Mw
− Material:Cladding \-SC-c
− 点击OK以激活布局窗口 ZW4$Ks2]Y
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 !%[fi[p
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: "T*1C=
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 gVrfZ&XF84
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 @_wJN Qo`
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 ?aI.Z+#
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 )2Bb,p<Wr
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 p[&b@U#
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: a?xZsR
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 &*745,e
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 q0DRT4K
图13 .绘制第一个线性波动
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z,bK.KFSs