主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： w%"q =V • 定义MMI耦合器的材料； -UE-v • 定义布局设定；
#wcoLCjs) • 创建一个MMI耦合器； z(` k WF1< • 插入输入面； E_#&L({|@ • 运行模拟； -rrg?4 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 f5eX%FR oWT0WS 1. 定义MMI耦合器的材料 DtX{0p<T3 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： `8*$$JC 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ Q0A1N [ e;v2`2z2 图1.初始性能对话框
&'j77tqOk 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” <aS1 bQgaU $~l :l[Zs 图2.轮廓设计窗口
-A~<IyPt 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 F.6SX (x
#YV;Gp(2h P^r8JhDJ 图3.电介质材料创建窗口
} s9J+m 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： LNW p$" − Name : Guide SJmri]4K − Refractive Index (Re) : 3.3 @A%`\Ea% − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 #-O4x `W> e!y t<[p h 图4.创建Guide材料
R8]bi|e) 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： qx NV~aK − Name : Cladding 6I< `N − Refractive Index (Re) : 3.27 G#>nOB − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 UKdzJEhG 6{ Eh={:b 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 ?xega- l
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： .FyC4"b=c − Name ： Guide_Channel D[_2:8 − 2D profile definition: Guide N_U
D7P1 − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 tVwN9 2*J c_ i;' 图6.构建通道
m;|I}{r 2. 定义布局设定 d cs d//E
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： 01b0;|
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 Z(cgI5Pu
− Width：2.8 ! `o =2b=N
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 +VDB\n
− Profile：Channel-Guide e~1??k.;=
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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C S
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： x
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− Length：5300 )deuB5kz
− Width：60 OmW|\d PU
图8.设置晶圆尺寸
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uQ}kq7gd
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： .#SWfAb2h
− Material：Cladding x$t=6@<]
− 点击OK以激活布局窗口 k 'o?/
图9.晶圆材料设置
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bk|>a=o3
4) 布局窗口 ]`x~v 4JU
图10.默认情况下布局窗口显示
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asb") NfIm
5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： m i+I )b=
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 $t^`Pt*:u
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 L=>N#QR7
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 Ag-*DH0
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 V*)gJg
图12.最终布局显示
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y}8j_r
3. 创建一个MMI耦合器 L))(g][;
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： on~ rrSK
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 e |!i1e!
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 b=sc2 )3?
图13 .绘制第一个线性波动
z\a#"2(G.
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