主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： 5r2A ^<) • 定义MMI耦合器的材料； [| qV*3 |? • 定义布局设定；
pVm]<jO • 创建一个MMI耦合器； @n|Mr/PAj • 插入输入面； ZYS`M?Au • 运行模拟； 7Gh+EJJ3I • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 nu(;yIRP 8n&Gn%DvX 1. 定义MMI耦合器的材料 MiK
-W 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： '@0Z#A 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ %3%bRP }yzCq+ 图1.初始性能对话框
^5'pJ/BV 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” @GVONluyU` s7d4)A % 图2.轮廓设计窗口
jT'0 9r3P 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 #zf ,%IYF
Q6 oM$qiM T v[h2_+E 图3.电介质材料创建窗口
zH5pe 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： n[K L Y! − Name : Guide d6+$[4w − Refractive Index (Re) : 3.3 n 9>**&5L − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 PtTL
t iE~ W EaG/)y 图4.创建Guide材料
P.y06^
X}A 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： PQd*)6K:A − Name : Cladding Qx")D?u − Refractive Index (Re) : 3.27 \; vo BU − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 +^< s' { 1e W*9 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 |NdWx1
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： 56?RFnZ&j − Name ： Guide_Channel eF"k" Ckt' − 2D profile definition: Guide BHu%x|d − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 ~tc,p 1j*E/L 图6.构建通道
C+L_f_6] 2. 定义布局设定 '" 4;;(
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： eH_< <Xh!v
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 29HyeLB@
− Width：2.8 ID]E3K
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 I}sb0 Q&
− Profile：Channel-Guide |yinV fZ0C
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
`N}aV Ns
m9=93W?
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： $'x#rW>v
− Length：5300 F{G.dXZZ<
− Width：60 H? _wsh4J
图8.设置晶圆尺寸
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w{WEYS
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： gX|We} H
− Material：Cladding Y 8n*o3jM
− 点击OK以激活布局窗口 ]7{
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图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 `$9sYv 2R
图10.默认情况下布局窗口显示
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Aw] kQ\P&
5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： 1)#dg sa
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 }60/5HNr
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 | Rj"}SC
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 I}+9@d
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 r4M;]
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 ]
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为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： ^kK% 8 u
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 q#O 8Fv
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 IuY4R0Go
图13 .绘制第一个线性波动
<Gn a}ALkg
|=:<[FU
