主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: vG ]GQ# • 定义MMI耦合器的材料; l`@0zw+ • 定义布局设定; .E+OmJwD • 创建一个MMI耦合器; {Q5KV%F_ • 插入输入面; XC|*A$x, • 运行模拟; |DN^NhtE • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 "^;#f+0 CifA,[l34 1. 定义MMI耦合器的材料 Ci~f#{ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: 9p<:=T 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ P+Wm9xR2d lij B#1<8* 图1.初始性能对话框
,*/Pg52? 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” sYGR-:K 7\mDBG 图2.轮廓设计窗口
<57g{e0I 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 JC=dYP}
B!eK!B Bk,2WtVX 图3.电介质材料创建窗口
?4^};wDb2 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: 9%sFJ − Name : Guide l+%Fl=Q2em − Refractive Index (Re) : 3.3 /@VsqD − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ?TDvCL tcZa~3. 图4.创建Guide材料
R.K?
5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: o`idg[l. − Name : Cladding FJ{=2]x| − Refractive Index (Re) : 3.27 /vHYM S − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 {$;2HbM( )X/*($SuA 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 tl|ijR
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: KyT uF − Name : Guide_Channel ^w.]Hd2 − 2D profile definition: Guide IXnb]q. − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 ;AKwx|I$g E Zi &] 图6.构建通道
lr,q{; 2. 定义布局设定 ymYBm:"
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: /0(%(2jIWl
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 J,??x0GDx,
− Width:2.8 GWhE8EDT
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 `xCOR
− Profile:Channel-Guide g0PT8]8
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
i0>]CJG
Nb0Ik/:<
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: q]CeD
− Length:5300 P1MvtI4gm
− Width:60 30s; }
图8.设置晶圆尺寸
Goxl3LS<
@Gt`Ds9=
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: *Ddi(`
− Material:Cladding z`4c 4h]I
− 点击OK以激活布局窗口 eIH$"f;L
图9.晶圆材料设置
Q=WySIF.
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4) 布局窗口 h$>wv`
图10.默认情况下布局窗口显示
'S*k_vuN
A{N\)
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: /&r|ec5
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 ,[* ;UR
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 \|.7-X
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 ];1R&:t
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 Zyu/|Og
图12.最终布局显示
c+g@Z"es
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3. 创建一个MMI耦合器 S(
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: le8 #Z}p
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 O(c@PJem
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 YHB9mZi
图13 .绘制第一个线性波动
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