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    [技术]OptiBPM:创建一个简单的多模干涉(MMI)耦合器 [复制链接]

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    离线infotek
     
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    光币
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    光券
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2025-09-17
    主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: oe-\ozJ0  
    • 定义MMI耦合器的材料 Qh\60f>0  
    • 定义布局设定; PB\x3pV!}  
    • 创建一个MMI耦合器; svH !1 b  
    • 插入输入面; II{&{S'HU  
    • 运行模拟 p H2Sbs:Tk  
    • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 ^Xh^xL2cn  
    Y`a3tO=Pd  
    1. 定义MMI耦合器的材料 z!9-:  
    为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: w ;^ra<*<+  
    1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ *b\t#meS&  
    7WZ+T"O{I  
    图1.初始性能对话框
    &0JI!bR(  
    2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” ['iPl/v0  
    k~w*W X'  
    图2.轮廓设计窗口
    @b2aNS<T  
    3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 A6(/;+n  
    QhJiB%M  
    >pe.oxY  
    图3.电介质材料创建窗口
    o!A+&{  
    4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: ;u)I\3`*!  
    − Name : Guide DN:EB @  
    − Refractive Index (Re) : 3.3 [Z$[rOF  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 zy }$i?  
    ^k9I(f^c-_  
    图4.创建Guide材料
    Uz]|N6`  
    5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: HN|%9{VeB  
    − Name : Cladding {R6ZKB  
    − Refractive Index (Re) : 3.27 97!;.f-  
    − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 A~70  
    ~b8]H|<'Y  
          
    图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 pFjK}J OF  
    6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: E r?&Y,o  
    − Name : Guide_Channel gRcQt:  
    − 2D profile definition: Guide pYf-S?Y/V  
    − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 fI|Nc  
    $~T4hv :  
    图6.构建通道
    EXqE~afm2  
    2. 定义布局设定 f ) L  
    为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 0<@@?G  
    1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 {"KMs[M  
    − Width:2.8 I-l_TpM)  
    注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 z~s PXGb  
    − Profile:Channel-Guide }k.Z~1y  
    图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
    e+fN6v5pU  
    =@~Y12o?%  
    2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: X!EP$!  
    − Length:5300 lL0APT;  
    − Width:60 QoT;WM Z  
    图8.设置晶圆尺寸
    LZxNAua  
    tc_3sC7jN  
    3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: AFwdJte9e  
    − Material:Cladding KVa  
    − 点击OK以激活布局窗口 { 2f-8Z&>  
    图9.晶圆材料设置
     z+X}HL  
    Wmv#:U  
    4) 布局窗口 \ @2R9,9E  
    图10.默认情况下布局窗口显示
    Ab.(7GFK  
    U|R_OLWAg  
    5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: KF:78C  
    − View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 ~*];pV]A[  
    − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 BnF^u5kv%  
    − 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 & wDs6xq  
    图11.调整Z方向和X方向的显示比率 X%x*f3[  
    图12.最终布局显示
    g *+>H1}  
    mj7#&r,1l  
    3. 创建一个MMI耦合器 Tpa5N'O  
    为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: 8'y$M] e9n  
    1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 gL/9/b4  
    2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 ) ;Y;Q  
    图13 .绘制第一个线性波动
    O+x!Bg7   
    >uEzw4w  
     
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