主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: teB{GR • 定义MMI耦合器的材料; hPk+vvXtK • 定义布局设定; %@xYg{ • 创建一个MMI耦合器; H~~(v52wD • 插入输入面; M^[jA](a • 运行模拟; CD tYj • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 F"F(s! 3+$O#> 1. 定义MMI耦合器的材料 cq=R 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: nWl0R= 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ 4[-9$
r @'rO=(-b 图1.初始性能对话框
nx+&
{hn( 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” *AA1e}R{B jF5JpyOc 图2.轮廓设计窗口
vOj$-A--qU 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 .F6#s
7,4x7! nSC>x:jY5/ 图3.电介质材料创建窗口
n^%u9H 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: kj#yG"3+ − Name : Guide \mDm*UuG
− Refractive Index (Re) : 3.3 ie,{C − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 GkC88l9z }* t~&l0 图4.创建Guide材料
K%k,- 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: o&O!Ur − Name : Cladding CP'-CQ\Q − Refractive Index (Re) : 3.27 Z4!3I@yZ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 l*u@T|Fc$ o(zg_!P 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 *+z({S_Nv
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: O?!"15 − Name : Guide_Channel 9T1G/0k- − 2D profile definition: Guide ]3C8 − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 iiTUhO ) ;'p'8lts 图6.构建通道
}NXESZYoi 2. 定义布局设定 Ydx5kUJV<
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 1#(1Bs6X
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 SXEiyy[7v
− Width:2.8 NP8TF*5V
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 :dzU]pk%0
− Profile:Channel-Guide KB= z{g
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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iIFQRnpu;3
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: b5Pn|5AVj
− Length:5300
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− Width:60 Q-v[O4y~
图8.设置晶圆尺寸
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3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: %5%Wo(W'
− Material:Cladding kg@h R}
− 点击OK以激活布局窗口 w>uZ$/
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 mx~sxYa
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: |`wsKr'
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 .5;LL,S-
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 sG2 3[t8
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 &Fjilx'k
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 % VpBB
图12.最终布局显示
f<Tz#w&6W
3^>a TU<Z
3. 创建一个MMI耦合器 xY2_*#{.
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: siYRRr
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 _`i%9Ad.4
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 '<< ~wt
图13 .绘制第一个线性波动
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2BX GVo