主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: `P Xz • 定义MMI耦合器的材料; rzp +: • 定义布局设定; ,(a5 @H$f • 创建一个MMI耦合器; y80ykGPT\& • 插入输入面; R];Oxe • 运行模拟; D+lzFn$3 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 !?
^h;)a <"o"z2 1. 定义MMI耦合器的材料 4YZS"K'E 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: jClj_E 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ Ba\6?K &iN--~}!$ 图1.初始性能对话框
@1zQce> 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” `"vZ);i< }U@m*dEG 图2.轮廓设计窗口
TEUY3z[g 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 1Xy]D
f[gqT
yiP -{h 图3.电介质材料创建窗口
5>9Y|UU 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: DN4#H` − Name : Guide ,n2i@?NHZ − Refractive Index (Re) : 3.3 ;0ME+]`"3 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 SFH-^ly&D Hy{
Q#fq 图4.创建Guide材料
v;{{ y- 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: qdCWy − Name : Cladding 5CAR{|a − Refractive Index (Re) : 3.27 3+MB5T − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 mq /zTm 2EQ6J 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 ~Lfcg*
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: ]43[6Im − Name : Guide_Channel 3*DXE9gA9 − 2D profile definition: Guide g|P C$p-z+ − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 Y^$HrI(vq P+e KZo 图6.构建通道
gG54: 2. 定义布局设定 ^SEdA=!
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: ~
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1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 <<MjC5
− Width:2.8 T0j2a&Pv
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 v}Wmd4Y'
− Profile:Channel-Guide {u7##Vrgt8
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
~Pk0u{,4XQ
!- C' }
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: $awi>#[
− Length:5300 5IVksg
− Width:60 t$^l<ppQ
图8.设置晶圆尺寸
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_17|U K|N
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: "oJ(J{Jat
− Material:Cladding xu%'GZ,o9
− 点击OK以激活布局窗口 QhGXBM
图9.晶圆材料设置
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4) 布局窗口 @%tXFizh
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: ~pP0|B*%
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 zLjgCS<7
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 t7#lsd`_
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 vTr34n
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 U+]Jw\\l
图12.最终布局显示
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cErI%v}v0
3. 创建一个MMI耦合器 SVP:D3)
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: [_DPxM=V
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 sB}]yw
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 '|K.k6
图13 .绘制第一个线性波动
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kv|,b