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Z{Si`GA Ln&'5D# 元件内部场分析器：FMM允许用户可视化和研究微
结构和
纳米结构内部的电磁场分布。为此，使用傅立叶模态法/严格耦合波分析（FMM/RCWA）计算周期性结构（透射或反射、电介质或金属）内部的场。还可以指定场的哪一部分应该可视化：正向模式、反向模式或两者同时显示。
`lI(SS]w J #ukH`|- 元件内部场分析仪：FMM 1$+-?:i C $ G\IzK _ _B`0t 元件内部场分析器：FMM是
光栅光学装置的独有功能，可提供光栅结构内部电磁场的可视化。
p'@| O q& Bsr; MVD 评估模式的选择 u;@~P Ah_,5Z@&R H!H&<71- 为了更容易地区分入射场、反射场和透射场，可以仅评估正向或反向传播模式，或者评估两者的总和。
pUp&eH 2c nyq$4k 评价区域的选择 ft aGu-d% obRYU|T 
9Q*T'+V +mgm39 元件内部场分析器：FMM可以输出整个元件（包括基板）内部的场，或者只输出一个堆栈或基块（基板）中的场。
) (4.7> &"_5?7_N 不同光栅结构的场分布 \vKK q/f ~4T:v _Q7g 任意形状的光栅结构可以通过元件内部场分析仪进行分析。以下是几个例子：
CC,f*I f+WN=-F\ r2h{#2 光栅结构的采样 vV( ?A 2oO&8:`tv 虽然分析仪为输出数据提供了一些采样选项，但
系统中定义的光栅表面必须正确采样（例如，分解点和过渡点的层数足够）。
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!e<D2><^ 6g6BE^o\ 分解预览展示了如何根据当前采样因子对光栅结构进行采样。
"ZHA.M]` N(7UlS,u' 光栅结构的充分采样意味着已经实现了收敛，即进一步增加采样不会显著影响产生的场。例如，如果层分解过于粗糙，则可能会由于纵断面中的大台阶而产生其他影响。
{ S$]I)tV btG+Ak+K* K}OY!| 输出数据的采样：一维周期光栅（Lamellar） X~o6Xkg N4L#$\M ru>c\X^| 对于1D周期性（片状）光栅，分析仪使用对话框“采样”部分中指定的
参数生成2D横截面
图像。
.XZq6iF9 NUQ?Q Q 输出数据的采样：二维周期光栅 'zUWO_( :(?F(Q ^ 当分析的光栅设置为2D Periodic时，Field Inside Component Analyzer：FMM将通过结构生成一系列二元截面，z方向的采样参数决定执行的切割次数。
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