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tQ; Fgv8Y! i=b'_SZ ' 元件内部场分析器：FMM允许用户可视化和研究微
结构和
纳米结构内部的电磁场分布。为此，使用傅立叶模态法/严格耦合波分析（FMM/RCWA）计算周期性结构（透射或反射、电介质或金属）内部的场。还可以指定场的哪一部分应该可视化：正向模式、反向模式或两者同时显示。
7YTO{E6]d\ E5P .x^ 元件内部场分析仪：FMM t"%~r3{ -M] /Xv] ZT&[:>upR 元件内部场分析器：FMM是
光栅光学装置的独有功能，可提供光栅结构内部电磁场的可视化。
EMH-[EBx N|>MqH,Bt 评估模式的选择 ,:}VbQ:3I gPK O-Fsd" 7]L} ~ 为了更容易地区分入射场、反射场和透射场，可以仅评估正向或反向传播模式，或者评估两者的总和。
U/q"F<?.c u_ :gqvC= 评价区域的选择 ;+f (1=x e'npa*.e 
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元件内部场分析器：FMM可以输出整个元件（包括基板）内部的场，或者只输出一个堆栈或基块（基板）中的场。
& JLKHwi/ mp(:D&M 不同光栅结构的场分布 T^|6{ S\ Q"pZPpl& 任意形状的光栅结构可以通过元件内部场分析仪进行分析。以下是几个例子：
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& ^JIs:\ g<< 光栅结构的采样 !h1|B7N P1TTaY u 虽然分析仪为输出数据提供了一些采样选项，但
系统中定义的光栅表面必须正确采样（例如，分解点和过渡点的层数足够）。
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\3U.;}0_X "$% &C%t 分解预览展示了如何根据当前采样因子对光栅结构进行采样。
J{uqbrJICr W}(xE?9& 光栅结构的充分采样意味着已经实现了收敛，即进一步增加采样不会显著影响产生的场。例如，如果层分解过于粗糙，则可能会由于纵断面中的大台阶而产生其他影响。
W-RshZ\ ]a~gnz&1 sDHFZ:W 输出数据的采样：一维周期光栅（Lamellar） 2rP!] g ?% ]()E ]tK<[8Y 对于1D周期性（片状）光栅，分析仪使用对话框“采样”部分中指定的
参数生成2D横截面
图像。
g fv?#mp =cR=E{20 输出数据的采样：二维周期光栅 Q;2k bVWY viS7+E|O 当分析的光栅设置为2D Periodic时，Field Inside Component Analyzer：FMM将通过结构生成一系列二元截面，z方向的采样参数决定执行的切割次数。
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