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 gH[lpRu|7   .{Df"e>  元件内部场分析器:FMM允许用户可视化和研究微
结构和
纳米结构内部的电磁场分布。为此,使用傅立叶模态法/严格耦合波分析(FMM/RCWA)计算周期性结构(透射或反射、电介质或金属)内部的场。还可以指定场的哪一部分应该可视化:正向模式、反向模式或两者同时显示。
 mP+rPDGp   n||!/u)*  元件内部场分析仪:FMM 	tbq_Rg7s    aj6{   fS- 31<?  元件内部场分析器:FMM是
光栅光学装置的独有功能,可提供光栅结构内部电磁场的可视化。
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A'	h7D  评估模式的选择 5c+7c@.      %
ovk}}%;    Rss=ihlM  为了更容易地区分入射场、反射场和透射场,可以仅评估正向或反向传播模式,或者评估两者的总和。
  Jm{~H%    :rX/ILAr  评价区域的选择 T7!=KE_z     G8ksm2 }   WA 79(B    A}Gj;vaw
 WA 79(B    A}Gj;vaw  元件内部场分析器:FMM可以输出整个元件(包括基板)内部的场,或者只输出一个堆栈或基块(基板)中的场。
 2z=GKV    n:5*Tg9  不同光栅结构的场分布 h|
 +(    tmf=1M  任意形状的光栅结构可以通过元件内部场分析仪进行分析。以下是几个例子:
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    uyDYS  光栅结构的采样 L~~Dj:%uq    !WReThq  虽然分析仪为输出数据提供了一些采样选项,但
系统中定义的光栅表面必须正确采样(例如,分解点和过渡点的层数足够)。
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:   BA+:}81&<q   .1C|J    :j m|)
 .1C|J    :j m|)  分解预览展示了如何根据当前采样因子对光栅结构进行采样。
 kg_f;uk+    Oz1ou[8k  光栅结构的充分采样意味着已经实现了收敛,即进一步增加采样不会显著影响产生的场。例如,如果层分解过于粗糙,则可能会由于纵断面中的大台阶而产生其他影响。
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]mX+?    e`Z3{H}    1yIo'i1  输出数据的采样:一维周期光栅(Lamellar) ]\:FFg_O6t   W<uL{k.Kpd    A*:(%!  对于1D周期性(片状)光栅,分析仪使用对话框“采样”部分中指定的
参数生成2D横截面
图像。
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bu  输出数据的采样:二维周期光栅 XU#nqvS` .    ;Q.g[[J/p  当分析的光栅设置为2D Periodic时,Field Inside Component Analyzer:FMM将通过结构生成一系列二元截面,z方向的采样参数决定执行的切割次数。
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