介绍 V@k+RniEO cVL|kYVWT 在高约束
芯片上与亚微米波导上耦合光的两种主要方法是
光栅或锥形耦合器。[1]
"}*D,[C5e 耦合器由高折射率比
材料组成，是基于具有
纳米尺寸尖端的短锥形。[2]
*0!p_Hco 锥形耦合器实际上是
光纤和亚微米波导之间的紧凑模式转换器。[2]
J~]@#=,v 锥形耦合器可以是线性[1]或抛物线性[2]过渡。
7N[".V]c 选择Silicon-on-insulator（SOI）技术作为纳米锥和波导的平台，因为它提供高折射率比，包括二氧化硅层作为
光学缓冲器，并允许与集成
电子电路兼容。[2]
1?FG3X 5 
Rq5'=L [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
c2M [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
C: t>u.. ^py=]7[I 3D FDTD仿真 0HoHu*+FX X_o#! EOrui:.B) 要
模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
'QT~o-U 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
Y|fD)zG_ 光源在时域中设置为CW（ = 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
K!&W} _@l 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
lTMY|{9 v-3VzAd=*& P>X[} j}ob7O&U'w 仿真结果 WK`o3ayH- VGeTX 4h KQNQ<OE 4 AF{uF na 顶视图展示了锥形硅波导的有效耦合。
)4=86>XJT d/Q#Z 底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um）
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