hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) s}":lXkrw  
2@f E!  
严格的 OPC 和源优化 3WF6bJN  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 N+NS\Y5  
可检测性 "O{:jfq  
印刷适性 |y7#D9m  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) (?zZvW8  
)IZ~!N|-w  
双重图案 veGRwir  
ZBfB4<M9xS  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 Gex%~';+q  
光刻冻结 光刻蚀刻 -\=kd {*B  
侧壁间隔物 ;hp?wb  
晶圆形貌效应 >a1ovKF  
非平面光阻 +Pm}_"GU  
首次接触时的潜在特征 }g[(h=Qi  
Oo95\Yf$N  
相移掩模版 4U1"F 7'  
j*;/Cah]k  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 Fu!sw]6xx  
相位缺陷 Xa32p_|5~  
湿法蚀刻/双沟槽 kT6EHu
B  
无铬相光刻 [8.w2\<?  
衰减相移掩模版 awa$o  
脱保护收缩的 NTD Cdd +I5~  
SEM 诱导收缩 ur2`.dY>3"  
EUV 和 DUV 的随机效应 dq ~=P>  
PEB 扩散效应 IT0*~WMZ  
表面抑制 tmI2BBv  
温度效应 (Dx]!FFz  
侧壁分析 1~#p3)B  
内外角偏差分析 6?c(ueiL[  
拉回
qjp<_aw  
最高亏损 .4wp  
xN#. Pm~  
薄膜堆叠分析 
,M&[c|  
oLp:Z=  
BARC 优化 Ka\%kB>*`  
多层镜反射率  !(<Yc5  
抵抗厚度效应