hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) 7e /Kh)5G  
1-PFM-  
严格的 OPC 和源优化 hA+;eXy/  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 Vk%W4P"l  
可检测性 OT#foP  
印刷适性 |sBL(9  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) ]0g1P-&,U  
5"w%  
双重图案 iOiXo6YE  
:-~x~ah-  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 aZCxyoh+  
光刻冻结 光刻蚀刻 a KIS%M#Y  
侧壁间隔物 >Sm#-4B-  
晶圆形貌效应 S9 @*g3  
非平面光阻 #!4`t]E<  
首次接触时的潜在特征 e r"gPW  
QY$4D;M`g6  
相移掩模版 MT<3OKo?:  

EHm:&w  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 >Vb V<ak  
相位缺陷 <n0j'P>1  
湿法蚀刻/双沟槽 :s|xa u=  
无铬相光刻 n;k B_i*l  
衰减相移掩模版 ]CgZt'h{  
脱保护收缩的 NTD +'UxO'v3]  
SEM 诱导收缩 $'bb)@_  
EUV 和 DUV 的随机效应 to)Pl}9QkK  
PEB 扩散效应 aWb5w  
表面抑制 J=ot&%  
温度效应 Job&qW9W`  
侧壁分析 )==Qo/N:  
内外角偏差分析 r8!M8Sc  
拉回 B9oB5E  
最高亏损
/!-ypIY  
o Hrx$>W]  
薄膜堆叠分析 I#|ib  
#DcK{
|ty  
BARC 优化 ~PCS_  
多层镜反射率 i(kr#XsU  
抵抗厚度效应