hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) B MU@J  
uP/PVoKQ  
严格的 OPC 和源优化 CZyOAoc<  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 bUbM}  
可检测性 Gs%IZo_  
印刷适性 Q>f^*FyOw<  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) ?T-6|vZA  
Icf 4OAx  
双重图案 ^Cb7R/R3  
+F q`I2l|  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 [C d"@!yA  
光刻冻结 光刻蚀刻 A3ad9?LR[R  
侧壁间隔物 wJ-G7V,)  
晶圆形貌效应 FrD.{(/~  
非平面光阻 ;;'b;,/  
首次接触时的潜在特征 -e7|DXj  
k+S+: 5  
相移掩模版 '8>h4s4  
GXB4&Q!C  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 NhQIpzL)  
相位缺陷 G?12?
2  
湿法蚀刻/双沟槽 *9e T#dH  
无铬相光刻 <b"ynoM.
A  
衰减相移掩模版 )k0e}  
脱保护收缩的 NTD I!lzOg4~  
SEM 诱导收缩 ?^P#P0  
EUV 和 DUV 的随机效应 ~(Gv/x  
PEB 扩散效应 B'6^E#9  
表面抑制 awuUaE  
温度效应 NWPL18*C  
侧壁分析 dj4 g  
内外角偏差分析 Qfo'w%px  
拉回 d_#\^!9  
最高亏损 ERQa,h/  
d$)'?Sf]h  
薄膜堆叠分析 !3Fj`Oh  
d}tn/Eu?B  
BARC 优化 =" K;3a`GI  
多层镜反射率 Ne*I$T 5  
抵抗厚度效应