hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) {Zd)U "  
'b?#4rq}  
严格的 OPC 和源优化 G!> iqG  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 BWqik_  
可检测性 1"~O"msb  
印刷适性 \.XT:B_  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) o
`JlXuG?o  
(mOqv9pn  
双重图案 `2Z4#$.  
fF9;lWt  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 kHz+ZY<?  
光刻冻结 光刻蚀刻 c1Fru  
侧壁间隔物 *_<SWTE
 
晶圆形貌效应 >Rz#g*@E  
非平面光阻 5Xq.=/eX  
首次接触时的潜在特征 71}L#nQ  
\_-kOS
 
相移掩模版 S>vVjq?~l(  
@[[Cs*-  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 ouu-wQ|(mM  
相位缺陷 xC=3|,U  
湿法蚀刻/双沟槽 X=*Yzz}  
无铬相光刻 )\:lYI}Wpm  
衰减相移掩模版 a3(7{,Ew  
脱保护收缩的 NTD 3=G5(0  
SEM 诱导收缩 +lk\oj$S+  
EUV 和 DUV 的随机效应 z_[3IAZ  
PEB 扩散效应 h~^qG2TYWq  
表面抑制 b>>=d)R  
温度效应 NL>[8
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侧壁分析 sEgeS9a{  
内外角偏差分析 }.Na{]<gh  
拉回 ] _]6&PZXk  
最高亏损 1Q2k>q8  
G74a9li@  
薄膜堆叠分析 [/#k$-  
<or>bo^  
BARC 优化 O. .@<.  
多层镜反射率 ,&pF:qlF  
抵抗厚度效应