hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) .)w0C%]  
+kL(lBv'  
严格的 OPC 和源优化 kVv <
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嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 ]w>fnew  
可检测性 Pa +BE[z  
印刷适性 Rjl__90  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) W)cLMGet  
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双重图案 N
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c^IEj1@}'?  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 h$\hPLx  
光刻冻结 光刻蚀刻
($>0&w  
侧壁间隔物 I/jr`3Mj  
晶圆形貌效应 %LHV0u  
非平面光阻 QOk"UP  
首次接触时的潜在特征 u0b-JJ7)BQ  
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相移掩模版 0pa^O$?p  
VYo;[ue([  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 D:tZiS=0  
相位缺陷 GTl(i*  
湿法蚀刻/双沟槽 -<]_:Kf{;&  
无铬相光刻 {C6;$#7P  
衰减相移掩模版 GuvF    
脱保护收缩的 NTD 79g>7<vp  
SEM 诱导收缩 T l(uqY?9  
EUV 和 DUV 的随机效应 v^fOT5\  
PEB 扩散效应 L"%eQHEC&  
表面抑制 m?$G(E5  
温度效应 x)ZH;)  
侧壁分析 Eo&qc 17)`  
内外角偏差分析 @(fY4]
K  
拉回 G| oG:  
最高亏损 O/oYaAlFF@  
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薄膜堆叠分析 !13 /+ u  
:~R Fy?xRa  
BARC 优化 ^!_7L4&y  
多层镜反射率 d ovwB`5  
抵抗厚度效应