hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) |5X[/Q*K`W  
x-%RRm<V  
严格的 OPC 和源优化 >!a- "  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 5$cjCjY  
可检测性 '\xE56v)F  
印刷适性 $gD8[NAIx=  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) ~dpf1fP  
c<MF:|(
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双重图案 8UqH"^9.Q7  
 [)~1Lu  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 ?h%Jb^#9  
光刻冻结 光刻蚀刻 Q9xb7)G  
侧壁间隔物 "d0=uHd5\  
晶圆形貌效应 '=#fELMW  
非平面光阻 0.w7S6v|&  
首次接触时的潜在特征 ~!8j,Bqs+z  
NX.5u8Pf  
相移掩模版 "*F`,I3  
{+E]c:{  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 $/;K<*O$  
相位缺陷 -C3[:g  
湿法蚀刻/双沟槽 9q_{_%G%  
无铬相光刻 PM#3N2?|E  
衰减相移掩模版 "`4ky]  
脱保护收缩的 NTD (tg9"C  
SEM 诱导收缩 1PUZB`"3  
EUV 和 DUV 的随机效应 ]S[?tn  
PEB 扩散效应 :/$WeAg  
表面抑制 m6n%?8t  
温度效应 ~"SQwE|  
侧壁分析 )E>yoUhN  
内外角偏差分析 QDJ "X  
拉回 shH2/.>  
最高亏损 yV\%K6d|3&  
tO:JB&vO2  
薄膜堆叠分析 :W1?t*z:[  
7H< IO`  
BARC 优化 .O5V;&,
  
多层镜反射率 'o#oRK{#  
抵抗厚度效应