hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) z<~yns`Y.  
w dpd`  
严格的 OPC 和源优化 c)q'" r  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 j}F;Bfq!  
可检测性 *vS)aRK  
印刷适性 v*3tqT(%  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) E8Y(C_:s  
6jpfo'uB$  
双重图案 #BOLq`9f  
J*zm*~8\  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 e'MLLC[  
光刻冻结 光刻蚀刻 4Mr)~f rc  
侧壁间隔物 J!"#N}[  
晶圆形貌效应 8v12<ktR`  
非平面光阻 032PR;]  
首次接触时的潜在特征 k>W}9^ cK  
$>6Kn`UX  
相移掩模版 FS^ie|8{D-  
%;-r->  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 5y8ajae:  
相位缺陷 O[|prk,  
湿法蚀刻/双沟槽 /~6)Vt  
无铬相光刻 O@7={)6qc  
衰减相移掩模版 nR#'BBlI  
脱保护收缩的 NTD y-R:-K XH=  
SEM 诱导收缩 i0py5Q  
EUV 和 DUV 的随机效应 vIpitbFC  
PEB 扩散效应 "IMq +  
表面抑制 {Ip)%uR  
温度效应 G}NT[  
侧壁分析 }:9UI  
内外角偏差分析 ~X2 cTG
!,  
拉回 m`B.3  
最高亏损 9Lp[y%{GP  
sA1 XtO<&7  
薄膜堆叠分析 NU |vtD  
VU ,tCTXz  
BARC 优化
FtmI\,  
多层镜反射率  /}&@1  
抵抗厚度效应