hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) K=C!b?  
J8M$k/"X  
严格的 OPC 和源优化 >$
NDv  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 2pzF5h  
可检测性 {K4+6p  
印刷适性 W%.v.0  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) ~XyW&@  
neXeAU  
双重图案 5DXR8mLoaJ  
]W Zq^'q.  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 }j2Y5  
光刻冻结 光刻蚀刻 'mH)d  
侧壁间隔物 q}/WQ]p} <  
晶圆形貌效应 j4>a(  
非平面光阻 "S&@F/  
首次接触时的潜在特征 ~6pr0uyO`  
*[r!  
相移掩模版 `+zWu55;  
-29gL_dk.  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 oEx\j+}@n  
相位缺陷 :9R=]#uD  
湿法蚀刻/双沟槽 :}h>by=  
无铬相光刻 ]J* ,g,  
衰减相移掩模版 6\u!E~zy  
脱保护收缩的 NTD b{d4xU8'  
SEM 诱导收缩 kaxvPv1  
EUV 和 DUV 的随机效应 '8fk+>M  
PEB 扩散效应 2+cNo9f  
表面抑制 1VF    
温度效应 5aBAr  
侧壁分析 ed!:/+3e/  
内外角偏差分析 ~%/Wupf  
拉回 m6MOW&  
最高亏损 j ,)P9V  
9prU+9  
薄膜堆叠分析 Ja]?&j  
'qArf   
BARC 优化 iweD @b  
多层镜反射率 5jgdbHog]  
抵抗厚度效应