hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) k^pu1g=6I  
k
Ml<
 
严格的 OPC 和源优化 &%X J
f~IQ  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 `&_k\/  
可检测性 @(c<av?  
印刷适性 I
BkH+j  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) l~
YNmmv_  
aELT"b,x  
双重图案 JJ?ri,  
f hG2  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 XyphQ}\u  
光刻冻结 光刻蚀刻 vB5iG|b}  
侧壁间隔物 ~5uNw*H  
晶圆形貌效应 |V\.[F2Fe  
非平面光阻 j dhml%pAd  
首次接触时的潜在特征  -C  ON  
_CJr6Evs  
相移掩模版 k6L373e#Q  
 sGls^J)  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 ,R}KcZG)  
相位缺陷 pMp9O/u%  
湿法蚀刻/双沟槽 [7 `Dgnmq  
无铬相光刻 :5M}Iz7  
衰减相移掩模版 R6Mxdm2P}  
脱保护收缩的 NTD 1vs>2` DLa  
SEM 诱导收缩 XOg(k(&T  
EUV 和 DUV 的随机效应 ~cBc&u:"  
PEB 扩散效应 m=\eL~h  
表面抑制 K

}`p_)(  
温度效应 0a6@HwO  
侧壁分析 ~|{)h^]@  
内外角偏差分析 %C
6zXiO"  
拉回 Qz)8eIO:  
最高亏损 7Y|>xx=v  
[y[v]'  
薄膜堆叠分析 (l8r>V  
[RFK-E  
BARC 优化 G\N"rG=  
多层镜反射率 _@pf1d$  
抵抗厚度效应