hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) 1[E#vdbT  
YB)3X[R+0  
严格的 OPC 和源优化 1`LXz3uBe  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 oyk>vIZ  
可检测性 wNNB;n`l  
印刷适性 )9B:wc"
 
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) v)f7};"z   
/ahNnCtu?1  
双重图案 J9%@VZut  
v8/6wy?  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 Q}*y$se!  
光刻冻结 光刻蚀刻 C#i UP|7hh  
侧壁间隔物 w?mEuXc  
晶圆形貌效应 85IMdZ7I  
非平面光阻 (X+s-4%  
首次接触时的潜在特征 lFUWV)J\  
tfkr+ /  
相移掩模版 #hL*rbpT  
+'#oz+  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 1ndJ+H0H  
相位缺陷 .mL#6P!d3^  
湿法蚀刻/双沟槽 K"<*a"1I  
无铬相光刻 4'Xgk
8)  
衰减相移掩模版 8BXqZVm.  
脱保护收缩的 NTD RGD
]8mw  
SEM 诱导收缩 m-V02's  
EUV 和 DUV 的随机效应 ;`v% sx#  
PEB 扩散效应 _7kM]">j  
表面抑制 +m,!e*g  
温度效应 *zVvQ=  
侧壁分析 2.Yi(r  
内外角偏差分析 DF1<JdO+  
拉回 Zt@Z=r:&  
最高亏损 0nW F  
Ep~wWQh  
薄膜堆叠分析 =y%rG :!  
X6RQqen3:  
BARC 优化 uXQ >WI@eF  
多层镜反射率 ]M,06P>?  
抵抗厚度效应