hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) Ad`[Rt']kI  
[ 4Y `O  
严格的 OPC 和源优化 +/!=Ub[:U  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 yhtvr5z1  
可检测性 m]=oaj@9  
印刷适性 (XG[_  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) ,y8I)+  
dp[w?AMhM9  
双重图案 [6_Du6\h  
#[U9(44,  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 O{B e )E~  
光刻冻结 光刻蚀刻 aO^:dl5  
侧壁间隔物 @( n^S?(  
晶圆形貌效应 s*)41\V0  
非平面光阻 >: W-C{%  
首次接触时的潜在特征 C7jc6(>m  
pg?i
F1  
相移掩模版 te\h?H  
D-o7yc"K  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 ra9cD"/J &  
相位缺陷 sR>`QIi(a  
湿法蚀刻/双沟槽 E/dO7I`B   
无铬相光刻 gP%|:"  
衰减相移掩模版 L

*UV  
脱保护收缩的 NTD U7]<U-.&  
SEM 诱导收缩 1(%>`=R8  
EUV 和 DUV 的随机效应 [j=,g-EOA  
PEB 扩散效应 $@_<$t  
表面抑制 dDqr B-G  
温度效应 >9.5-5"   
侧壁分析 4#@W;'  
内外角偏差分析 %su}Ru  
拉回 UBhciZ  
最高亏损 _^6|^PT.  
+-H}s`  
薄膜堆叠分析 uEScAeQXsI  
`sk!C7%  
BARC 优化 %_b^!FR  
多层镜反射率 $>'")7z  
抵抗厚度效应