hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) vYnftJK&  
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严格的 OPC 和源优化 uJ8{HB  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 BIfi:7I;Q  
可检测性 XwPx9+b6j  
印刷适性 fM^<+o@  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) P {H{UKs#  
<L&eh&4c  
双重图案 _yVPpA[a  
!^v\^Fc  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 f#OQ (WTJE  
光刻冻结 光刻蚀刻 ^73=7PZ  
侧壁间隔物 [{cC  
晶圆形貌效应 N`1r;%5  
非平面光阻 ])N%^Qe$U  
首次接触时的潜在特征 =x H~ww (D  
:-Wv>V\t  
相移掩模版 '{VM>
Q  
,Rz}=j  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 8R4qU!M  
相位缺陷 #{,h@g}W  
湿法蚀刻/双沟槽 ~ 5"J(  
无铬相光刻 ipZHSA  
衰减相移掩模版 x+:zq<0|  
脱保护收缩的 NTD 7#pZa.B)k  
SEM 诱导收缩 *h:kmT  
EUV 和 DUV 的随机效应 RGp'b  
PEB 扩散效应 W4vBf^eC  
表面抑制 aQ|hi F}  
温度效应 ps+:</;Z  
侧壁分析 #T"64%dX  
内外角偏差分析 plXG[1;&G  
拉回 !01i%W'  
最高亏损 c<tmj{$  
q[c Etp28h  
薄膜堆叠分析 v}P!HczmMP  
v<&v]!nF  
BARC 优化 x6e+7"#~  
多层镜反射率 PEzia}m  
抵抗厚度效应