hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) KX4],B5 +  
!SxG(*u  
严格的 OPC 和源优化 #;Tz[0  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 6F|j(LB  
可检测性 JOD/Raq.1k  
印刷适性 obo&1Uv,/  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) I7(?;MpI  
vH[Pb#f-  
双重图案 4kl Ao$  
R_N:#K.M  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 _#C()Ro*P  
光刻冻结 光刻蚀刻 +L%IG  
侧壁间隔物 wtH~-xSB|  
晶圆形貌效应 p&Ed\aQ%z;  
非平面光阻 3BQ!qO17^d  
首次接触时的潜在特征 Q(Gl{#b  
ig+4S[L~n  
相移掩模版 cWLqU  
,}SCa'PB  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 3EK9,:<Cf  
相位缺陷 #07!-)Gv  
湿法蚀刻/双沟槽 o:p *_>&  
无铬相光刻 v=?2S  
衰减相移掩模版 zpjqEEY;  
脱保护收缩的 NTD j !H^-d}q  
SEM 诱导收缩 ,d_Gn!  
EUV 和 DUV 的随机效应 HM9fjl[  
PEB 扩散效应 SA"8!soY3  
表面抑制
A1i!F?X  
温度效应 V 9;[M;  
侧壁分析 *rh,"Zo  
内外角偏差分析 $8~e}8dt|  
拉回 5h{`<W  
最高亏损 fV\]L4%  
rS8 w\`_  
薄膜堆叠分析 y1f:?L-z  
d+fSoSjX8  
BARC 优化 ~d >W?A  
多层镜反射率 gVR@&bi7  
抵抗厚度效应