hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV)
#HML=qK~  
`|4{|X*U.  
严格的 OPC 和源优化 b/)UN
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嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 dbR4%;<  
可检测性 H!N,PI?rn  
印刷适性 ]pb3 Fm{  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) /W;;7k  
)+J?(&6  
双重图案 p[RD[&#b  
5:6mptn>  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 a2zo_h2R  
光刻冻结 光刻蚀刻 Y\lBPp0{\v  
侧壁间隔物 ;:cM^LJ  
晶圆形貌效应 V6c?aZ,O  
非平面光阻 }w$/x<Q[  
首次接触时的潜在特征 DwI)?a_+  
drH!?0Dpg  
相移掩模版 Ofn:<d
  
CZ@M~Si_  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 yy9Bd>  
相位缺陷 `g#\ Ws  
湿法蚀刻/双沟槽 'lWNU  
无铬相光刻 D/U o?,>8  
衰减相移掩模版 V[%r5!83H  
脱保护收缩的 NTD BD#4=u  
SEM 诱导收缩 L\"$R":3{d  
EUV 和 DUV 的随机效应 ~{HA!C#  
PEB 扩散效应 F"LT\7yjyG  
表面抑制 \]^|IViIQ  
温度效应 W1
#3+  
侧壁分析 4VK5TWg  
内外角偏差分析 Q)v8hNyUmA  
拉回 /(Y\ <  
最高亏损 ~j UK-E  
Q.nEY6B_  
薄膜堆叠分析 Z:'2puU+?  
u*"tZ+|m  
BARC 优化 S_^
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多层镜反射率 9,,1\0-T*  
抵抗厚度效应