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1. 建模任务 Q2fa]*Z5 1.1. 模拟条件 <?Lj!JGX 光源: EML Emitter (Unit source) x1Si&0T0P< 偶极子方向: Polarization i,)kI Ex=Ey=1/Phase=-90˚, 90˚ (circular polarization)
Pt1Htt:BE 波长: 380~780 nm (10 nm step) L1D%vu` 视角: Theta: 0˚~90˚(10˚ step)/ Phi: 0˚~360˚(10˚ step) CX1'B0=\r H>Fy 2w 1.2 堆栈结构 ?iia 9k*'5(D4S
h[lh01z \}<nXn! 2. 建模过程 W0nRUAo[ xknP
`T 2.1创建新的项目文件 wiFckF/
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}2h~o~ ZAiQofQ:2 2.2 使用材质或层定义 1D 结构 J7l1- GQ[\R&]q<
O^IpfS\/ @|cas|U.r 2.3 设置和编辑膜层的属性(Emitter) =nY*,Xu< s+(8KYTs`
-bs~{ ( E0be. 3. 结果分析 w>!KUT (^6SF>' 极坐标图结果 R"82=">v QzV:^!0J
)9PQj k|g~xmI; 等高线图结果 K(Cv9YQ &]ImO
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