1.模拟任务 =P}ob eY TYv'#{ 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
]}t6V]`Q 设计包括两个步骤:
=hZ#Z]f - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
EDQKb TaPt - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
dux.Z9X? 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
km@V|"ac
_ d??;r: #NU@7Q[4 照明光束参数 0_F6t- e[<vVe! !&'GWQY{( 波长:632.8nm
s!WGs_1@ 激光光束直径(1/e2):700um
'3BBTr%aZ `1}WQS 理想输出场参数 ,sw|OYb #0HZ"n BC: d@
直径:1°
nHAET 分辨率:≤0.03°
Blw AD 效率:>70%
LqNt.d @ 杂散光:<20%
2/Xro rV I5#KLZVg o#GZ|9IL 2.设计相位函数 j<"@Y7 9:DT+^BB LxdF;JCz: W|X=R?*ZK 相位的设计请参考会话编辑器
S2y_5XJ<D Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
?3[Gh9g` 设计没有离散相位级的phase-only传输。
JRti2Mu z):LF< 3.计算GRIN扩散器 (G1KMy GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
dC'8orFG+ 最大折射率调制为△n=+0.05。
EM2=g9y 最大层厚度如下:
k^VL{z:EWB h^QLvOuR 4.计算折射率调制 `!,"">5 v11Uw?CM 从IFTA优化文档中显示优化的传输
0tz7^:|D >W?i+,g 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
+ d?p? v v2Ft=_*G| ,xSNTOJ 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
!
3 ;;6 #%9t-
PJfADB7Y 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
Z;ze{Vb u0Q6+U 8}M-b6RV 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
HNUpgNi "?*B2*|}` h5)4Z^n AU$<W"%R 数据阵列可用于存储折射率调制。
eoj(zY3 选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
=67ab_V 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
tZXq<k9 wC>}9OM 5.X/Y采样介质 q!10G
"g5<j p 2%?Kc]JY9 GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
9kzJ5} 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
?]%ZJd 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
g+j\wvx0 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
=L\&}kzB .DR*MQI9 ~0@uR {^@vCBE+ 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
)H1\4LeP 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
:R'={0Jg 应该选择像素化折射率调制。
u<U8LR=)V5 @?n~v^ cy64xR BB 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
2!)|B
;y 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
K3*-lO:A9 Y1wH_!%b 6.通过GRIN介质传播 {_G_YL[ swz)gh-* L9]y~[R: yHo#v:>?p 通过折射率调制层传播的传播模型:
*snY|hF - 薄元近似
F2>W{-H+ - 分步光束传播方法。
N0pA ,& 对于这个案例,薄元近似足够准确。
%oOSmt 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
3dx.%~c 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
=B{B?B"r Ofc
u4pi 7.模拟结果 s7(1|}jh 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
QQ/9ZI5 m;J'y2h =$ 8.结论 Xf;_r+; I{$TMkh[ VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射
光学元件和全息图。
0}`0!Kv 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。
i'B$Xr 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。