1.模拟任务 P66{l^ {[hH:
\ 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
)n}Wb+2I 设计包括两个步骤:
f@l$52f3D - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
a'U7 t - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
<8yzBp4gZ 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
wx nD3 Iq0_X7:{QI vBx*bZ 照明光束参数 -v.\CtpHv w'z?1M(* B~QX{ 波长:632.8nm
I1yZ7QY 激光光束直径(1/e2):700um
)$Xd#bzD| jnsV'@v8Nj 理想输出场参数 ."Wdpf`~ ]\w0u7} =k6zUw;5 U 直径:1°
e^Q$Tog< 分辨率:≤0.03°
Hq[d!qc 效率:>70%
0H,1"~,w] 杂散光:<20%
/fbI4&SB! h
92\1, DKgwi'R 2.设计相位函数 !cPiH6eO #3vq+mcn 3XdN\xc %5V!Fdb 相位的设计请参考会话编辑器
X5 UcemO Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
EM!# FJh 设计没有离散相位级的phase-only传输。
(G $nN*rlu {Ak{
ct\t 3.计算GRIN扩散器 6*cG>I.Z GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
l{F^"_U 最大折射率调制为△n=+0.05。
sc'QNhrW 最大层厚度如下:
&SfJwdG*= BTjfzfO" 4.计算折射率调制 \9;u.&$mNB )k@W6N 从IFTA优化文档中显示优化的传输
/B)ZB})z RFd.L@-] 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
. [DCL O4@sN=o Z_Jprp{3h 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
^_ <jg0V *5Upb,**
y%)5r}S^ 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
EM]~yn!+ ^(y=DJ7 Fq/?0B8 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
hV|pH)Nu{ #TZf\0\! iL(rZT&^ ?Q1(L$-= 数据阵列可用于存储折射率调制。
k_%2Ok 选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
{;0j9rr 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
+shT}$cb1 Y,EReamp 5.X/Y采样介质 {|?OKCG{
4q#6.E;yy f"t\-ux.b GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
a7'.*H] 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
cAq>|^f0a 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
nB"r<?n< 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
}@MOkj U ^1Xc#Ff amq]&.M @w&VI6 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
hZ2!UW4' 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
YBn"9w\# 应该选择像素化折射率调制。
PmOm> RG/M- #g[jwl' 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
&No6k~T0:b 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
qS<a5 `EA Ug>yTc_(7 6.通过GRIN介质传播 )&:4//}a T|^rFaA {a`t1oX( #(&!^X3 通过折射率调制层传播的传播模型:
NIufL
}6\ - 薄元近似
&ywAzGV{s - 分步光束传播方法。
vmdu9"H
对于这个案例,薄元近似足够准确。
K +n 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
V5sH:A7GJ 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
h|OqM:J; G)5w_^&% 7.模拟结果 `|K30hRp: 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
FEj{/ *izPLM}+ 8.结论 O="#yE) j`jF{k b VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射
光学元件和全息图。
X`bN/sI 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。
19-|.9m( 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。