1.模拟任务 l`k""f69W _Z{EO|L 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
n1J;)VyR 设计包括两个步骤:
L2<IG)oXU - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
]**h`9MF
- 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
)Lb?ZXT3 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
y 13Y,cz~B ![H{ndH!Q >^N{ 照明光束参数 )p!.V(, H&_drxUq;L CEHtr90P 波长:632.8nm
#Bo3:B8 激光光束直径(1/e2):700um
V AnP3: f@7HVv& 理想输出场参数 o>i@2_r\&H 6haw\ * Y6:b 直径:1°
Xdl7'~k 分辨率:≤0.03°
YHQvx_0yP 效率:>70%
;]\>jC 杂散光:<20%
rJKac"{ "OWW -m sEzl4I 2.设计相位函数 Da-U@e! (\M#Ay t) g)L<xN8 T]UrKj/iF 相位的设计请参考会话编辑器
_MLbJ Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
57(5+Zme 设计没有离散相位级的phase-only传输。
me ,lE- Zgw4[GpL 3.计算GRIN扩散器 |A, <m#C GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
dC(5I{I| 最大折射率调制为△n=+0.05。
5hj
_YqQ7 最大层厚度如下:
Ou7nk:I@ >QSlH]M 4.计算折射率调制 0T2^$^g ifI0s)Pn 从IFTA优化文档中显示优化的传输
\]|(w*C d.xT8l}sS 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
LMHiiOs, z2~\
b3G \N[2-;[3 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
6lob&+ >qS2ha
>UnLq:G 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
Xf{ht%b J;*2[o.N !S#K6: 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
g#lMT% 8DkZ@} }fZ~HqS2w Aaug0X 数据阵列可用于存储折射率调制。
M3!4,_!~ 选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
~FnuO!C 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
?h)T\z ib%'{?Q. 5.X/Y采样介质 9c{T|+]
oer3DD( 3FG'A[x3O GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
6%Pvh- ~_ 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
e/b
|
sl 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
ZxAk 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
]jSRO30H3< #O N^6f2 L~("C &mkL4jXG 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
*FFD G_YG? 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
5}TTf2&Xo# 应该选择像素化折射率调制。
"#P#;]\ ` *X
uIA-9 [&pMU) 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
L, 2;-b| 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
^B$cfs@* &2r[4 6.通过GRIN介质传播 A"/|h]. Nz>xilU' 4mvnFY} gjzU%{T? 通过折射率调制层传播的传播模型:
Y-+JDrK - 薄元近似
L),r\#Y(v - 分步光束传播方法。
{wD:!\5 对于这个案例,薄元近似足够准确。
S5\KI+;PW 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
V ;"Rp-`^ 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
{g 4`>^; {Ga=;0 7.模拟结果 ^qLesP#
角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
vi]cl=S 5!BW!-q 8.结论
[IgqK5@ hjz`0AS VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射
光学元件和全息图。
<B!DwMk;. 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。
piFZu/~Gq\ 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。