1.模拟任务 8.R~Ys* !$|h[ct 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
E A}Vb(2 设计包括两个步骤:
r>gU*bs( - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
RFqf$ - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
l4`HuNR1 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
[n{c, U
F "I`g(q#Uo #K_E/~ 照明光束参数 li~#6$ Q]oCzSi Q( \2(x\ 波长:632.8nm
E3<~C(APW 激光光束直径(1/e2):700um
Fi!XaO xfJ&11fG2 理想输出场参数 Fi*j}4F1 n.\|NR'v C=|X]"*:u0 直径:1°
SF2< 分辨率:≤0.03°
V]I+>Zn| 7 效率:>70%
#3m7`}c 杂散光:<20%
`lA[-x~ ); <Le6 w`;>+_ E7 2.设计相位函数 v<wR`7xG xIh,UW# ~56F<=#, ;^`WX}]C( 相位的设计请参考会话编辑器
]&l%L4Z Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
:i>/aRNh1 设计没有离散相位级的phase-only传输。
!c 3li . q&`>&k 3.计算GRIN扩散器 +f- E8q GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
s.oh6wz 最大折射率调制为△n=+0.05。
UAi] hUq 最大层厚度如下:
1FQ_`wF4 A(#4$}!n5 4.计算折射率调制 :n t\uwh ID1/N)56 从IFTA优化文档中显示优化的传输
+S3r]D3v/ n-Qpg 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
YPY'[j(p`n OG&X7>'3I{ UPI'O % 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
|Q _]+[ [)&(zJHX
z8"(Yy7m 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
RU'
WHk t:h~p-&QB yF#:*Vz> 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
lx!9KQAM* `p.O \HsrUZ~ s[HQq;S 数据阵列可用于存储折射率调制。
8aSH0dX 选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
VP<_~OLc 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
z2GT9 4Nx]*\\ 5.X/Y采样介质 %!;6h^@
t LzX L* o/U"'FP GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
~!Q\\_ 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
-#ta/*TT: 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
a &89K 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
BVt)~HZ l$s8O0-'T i1kTP9 9se,c 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
Qs^RhF\d 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
I>jDM 应该选择像素化折射率调制。
Gpauy=4f J:q:g*Wi -brn&1oJ 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
q ["T6 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
e{dYLQd {{\
d5CkX 6.通过GRIN介质传播 y,`SLgBID EZ.|6oug\ F5#P{zk| JlF$|y,gV, 通过折射率调制层传播的传播模型:
Po=@
6oB - 薄元近似
y^SDt3Am - 分步光束传播方法。
;6?VkF 对于这个案例,薄元近似足够准确。
.>{.!a 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
laQM*FLg 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
QE.a2
} abVz/R/o 7.模拟结果 4l6+8/Y 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
jd&kak c-2##Pf_8O 8.结论 F^v <z)x `V;vvHP A VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射
光学元件和全息图。
<~[A 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。
iYyJq;S
可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。