1.模拟任务 "jMnYEG > o`RPWs 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
<q=B(J' 设计包括两个步骤:
r:Cid*~m - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
N|L5Ru - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
640V&<+v 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
[kkcV5I- 5R
G5uH/-< =B%e0M 照明光束参数 hG3Lj7)UH ~,7R*71 r26Wysi~% 波长:632.8nm
~Nh7C b_ 激光光束直径(1/e2):700um
v]S8!wU .;6bMP[YA 理想输出场参数 >9|+F[Fc =R`2 m >;?97'M 直径:1°
%z(=GcWm 分辨率:≤0.03°
a8c]B/ 效率:>70%
sxa
( 杂散光:<20%
W)O'( D dBn.DU*B r{&"]'/X 2.设计相位函数 1_]l|`Po n8,/olqwW Z] }@#/
n .JjuY'-Q 相位的设计请参考会话编辑器
ghiElsBU Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
syvi/6 设计没有离散相位级的phase-only传输。
H>9$L~ b7mP~]V 3.计算GRIN扩散器 3|3lUU\I GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
an~Kc!Oki 最大折射率调制为△n=+0.05。
1t'\! 最大层厚度如下:
Zv7)+Q Vtri"G8 aB 4.计算折射率调制 5Px_vtqP z0Hh8* 从IFTA优化文档中显示优化的传输
aH~"hB^e GjBQxn 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
|05LHwb> <'33!8
G -XB>&dNl)T 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
)cXc"aj@s $i
Tgv?.Q
x]T;W&s 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
B;Vl+}R ,55`s#; 0}N^l=jQ 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
:8g \B{ Fjb[Ev ?9A[;j|a0 )
|a5Qxz 数据阵列可用于存储折射率调制。
+/tD$ 选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
ok'1 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
uv!/DX# !$HWUxM;p 5.X/Y采样介质 &-A7%"
%e(,PL {ar}.U GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
oGZ9@Y)(T 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
^y,ip=<5\3 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
8:bNFgJD 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
P.0-( 0a5P@;"a XA68H!I I
uDk9<[b: 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
zD'gGxM1 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
V<7Gd8rDMM 应该选择像素化折射率调制。
b;{C1aa>} zoU.\]#C #0c`"2t&M 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
JQqDUd 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
"O`;zC ]F~5l?4u# 6.通过GRIN介质传播 tznT*EQr "M
tQj} iu .{L(m nJnan,`W 通过折射率调制层传播的传播模型:
-#r_9HQ,w - 薄元近似
=@'"\
"Nh - 分步光束传播方法。
t9}XO M* 对于这个案例,薄元近似足够准确。
cD\Qt9EI 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
tkmW\ 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
,\M'jV"SK T-\,r 7.模拟结果 a5iMCmL+ 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
TJ<PT 1NTe@r!y 8.结论 yRtFUlm` (bw;zNW VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射
光学元件和全息图。
;"3Mm$ 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。
yQ}~ aA#h 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。