1.模拟任务 M%f96XUM 8UB-(~ 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
(o_w[jv 设计包括两个步骤:
Bb];qYuCO - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
4LYeacL B - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
`B;^:u 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
1F'j. 1 be `\ O ]|[,N> 照明光束参数 }E$^!q{ VsOn j~@ :)+|q 波长:632.8nm
e:IUO1# 激光光束直径(1/e2):700um
vMJv.O>HW )*N]Q 理想输出场参数 [3++Q-rR= #SQao;> n~\"W 直径:1°
Y5fwmH,a- 分辨率:≤0.03°
ev>gh0 效率:>70%
5nIm7vlQm 杂散光:<20%
HK>!%t0S vX})6O [QA@XBy6 2.设计相位函数 xZt] s3? )sG`sET]`f Z^9;sb,x ']1j Mn 相位的设计请参考会话编辑器
msS5"Qr Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
W[A;VOj0$ 设计没有离散相位级的phase-only传输。
uJ,>Y#
? :0ZFbIy 3.计算GRIN扩散器 l)`bm/k]V GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
ZRO 最大折射率调制为△n=+0.05。
W0eb9g`s 最大层厚度如下:
*+h2,Z('a Cul^b_UmP# 4.计算折射率调制 Sf[ZGY) LBT{I)-K 从IFTA优化文档中显示优化的传输
xuQ$67F`;z jdV E/5 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
1HxE0> 0EfM~u 8D[P*?O 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
B*E:?4(<P QbqEe/*$_
@#Jc!p7) 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
GQ
ZEMy7 \;&9h1?Mn /\_`Pkd3m 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
:9q=o|T6D QPg M<ns hv te) l)GV&V 数据阵列可用于存储折射率调制。
k$?zh$ 选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
%qL0=ad 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
1 *'SP6g K.G}*uy 5.X/Y采样介质 O]RP ?'vO
p't>'?UH| eZR{M\Q GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
M~7 gUb| 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
jSp4eq 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
ae( o:G 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
M]:4X_ Ss+e*e5Ht (D F{l?4x- '}4LHB;: 基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
&yN@(P) 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
%YLdie6c 应该选择像素化折射率调制。
tKgPKWP L}lOA,EF V|xKvH 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
UbKdB 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
/ 2>\Z ( 1?sR1du, 6.通过GRIN介质传播 bS_fWD- o,(MB[|hQ =7pLU+ u vQ"EI1=7Z 通过折射率调制层传播的传播模型:
H5uWI - 薄元近似
n Bv|5$w: - 分步光束传播方法。
z( L\I 对于这个案例,薄元近似足够准确。
Y,z15i3j? 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
9{_D"h}} 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
1wSJ w Rf2$k/lZ 7.模拟结果 Q`}1 B 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
*#{[9d .q#2 op 8.结论 YFgQ!\&59 VXlTA>a } VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射
光学元件和全息图。
)]~'zOE_ 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。
VE1 B"s</ 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。