1.模拟任务 TdrRg''@ ]L!:/k,=S 本
教程将介绍设计和分析生成Top Hat图案的折射率调制扩散器图层。
!F)BTB7{< 设计包括两个步骤:
&bwI7cO - 设计相位函数来生成一个角谱Top Hat分布。
i)MJP * - 基于相位调制来计算对应的折射率调制。
"IzM: 设计相位函数是基于案例DO.002。在开始设计一个梯度折射率扩散器之前,我们迫切地推荐您先阅读这个案例。
<)$JA cx+%lco! RxGZ#!j/ 照明光束参数 4^K<RSYs +Y440Tz Dp;6CGYl? 波长:632.8nm
3W@ta1 激光光束直径(1/e2):700um
4u]>$?X1_ z?g\w6 理想输出场参数 TE@bV9a C<q@C!A QzD8
jk# 直径:1°
]= 9^wS 分辨率:≤0.03°
\r&9PkHWo 效率:>70%
b[my5Ol 杂散光:<20%
f5vsxP)Y[ 'n7Ld6%1 X[$FjKZh=F 2.设计相位函数 e-YMFJtoK} \']_ y\ {GQRJ8m 3/RNStd<L! 相位的设计请参考会话编辑器
e~Z>C>J Sc563_GRIN_Diffuser_1.seditor和
优化文档Sc563_GRIN_Diffuser_2.dp。
Xs$UpQo
设计没有离散相位级的phase-only传输。
'>dx~v % gP>`DPgb^ 3.计算GRIN扩散器 ? VHOh9|AT GRIN扩散器应该包含一个1mm厚度石英玻璃作为基板,和一个折射率调制的丙烯酸薄层。
ivP#qM1*; 最大折射率调制为△n=+0.05。
f VpE&F 最大层厚度如下:
)\l(h%s[I wT^Q O^. 4.计算折射率调制 ~cW,B}
bjB4 从IFTA优化文档中显示优化的传输
{Nny.@P)H VK]sK e 将传输相位转变为实部,通过函数Manipulation→Field Quantity Operations→Move→Phase to Real。
vUgMfy& vC%8-;8{H bv4G!21]*; 生成正向函数,通过Manipulation→Amplitude/Real Part Manipulation→Lift Positive函数。
Cc>+OUL NekPl/4
L
[=JHW 乘以最大调制折射率(0.05),通过Manipulation→Operation with Constant→Multiply Constant函数。
SR*KZ1U 4{Af 3N "'*w_H0 将数据转换成数据阵列:Manipulation→Create Numerical Data Array(参见下一张)。
^U]B&+m C *U,$8j|} NmZowh$M Gq9pJ 数据阵列可用于存储折射率调制。
geSH3I
选择在下一个对话框中将实部转化为一个数据阵列图。
+|TFxaVz 插值应该设置为Nearest Neighbor来得到一个像素化折射率调制。
PuGc{kt F4
:#okt 5.X/Y采样介质 @_C?M5v
^Qa!{9o[ [vyi_0[ GRIN扩散器层将由双界面元件
模拟。
5BB:. 这个元件可以在平面层和任意折射率调制之间进行模拟。
|Y]4PT#EE 元件厚度对应于层厚度12.656μm。
_!Ir|j.A 折射率调制由采样x/y调制介质模拟。
?S~j2 J] jP"l5 .GOF0puiM Zsx\GeE%:
基材丙烯酸的离散数据应该从miscellaneous材料目录中加载。
vZ/Bzy@| 折射率调制的数据阵列必须设置到介质中。
9 Aq\1QC 应该选择像素化折射率调制。
pkT26)aW J0O wzO %Ae43 优化的GRIN介质是周期性结构。 只优化和指定一个单周期。
VDy\2-b8d 介质必须切换到周期模式。周期是1.20764μm×1.20764μm。
BoHpfx1C |++\"g 6.通过GRIN介质传播 x{#W84 iFkXt<_A V"DilV$v Uy5G,! 通过折射率调制层传播的传播模型:
9@yi
UX - 薄元近似
kP,^c{ - 分步光束传播方法。
IJ#+"(?7,u 对于这个案例,薄元近似足够准确。
M
sQ>eSk 在传播面板上选择传播方法,并且编辑传播设置。
{'$+?V"& 场采样必须设置为手动模式并且采样距离为4.5μm(半像素尺寸)。
mVNHH! XAw0Nn 7.模拟结果 O6Mxp- 角强度分布
(参见Sc563_GRIN_Diffuser_3.lpd)
[
F7ru4"{ $v0beN6MG 8.结论 <%GfF![v l#cG#- VirtualLab Fusion支持设计GRIN衍射
光学元件和全息图。
\zx$]|AQ 优化的GRIN元件可以生成任意的二维强度分布。
K4K]oT 可以模拟通过x/y平面上任意调制的介质中的光传播。