请问各位前辈 c7RQ7\
已知LD条件为光源发射面为一椭圆面，长轴3 短轴1 (单位:micrometer) 远场发散角为8度及40度 8#/y`ul
若使用Source Diode &^l(RBp]0
虽然有两发散角(x-divergence y-divergence)可设定 %*#+(A"V
但其所建立的光源为一点光源 >T-4!ZvS\j
若使用Source Two Angle，虽然可以设定光源初始面的大小、角度，但看手册上的说明其强度分布又好像是均匀? 1x%B`d
至于Source Ellipse感觉又无法把已知的条件当做设定套入 ' ,/2J0_
请求前辈们不吝指教 这问题困惑我半年了 THX ! cZ# %tT#
