请问各位前辈 k>2 xm
已知LD条件为光源发射面为一椭圆面,长轴3 短轴1 (单位:micrometer) 远场发散角为8度及40度 ssoe$Gr7>
若使用Source Diode _DH,$evS%
虽然有两发散角(x-divergence y-divergence)可设定 O/0m|~`iY
但其所建立的光源为一点光源 R]L7?=
若使用Source Two Angle,虽然可以设定光源初始面的大小、角度,但看手册上的说明其强度分布又好像是均匀? @hg1&pfxZ<
至于Source Ellipse感觉又无法把已知的条件当做设定套入 '{Iv?gh"
请求前辈们不吝指教 这问题困惑我半年了 THX ! aS62S9nwX