请问各位前辈 BX/8O<s0
已知LD条件为光源发射面为一椭圆面,长轴3 短轴1 (单位:micrometer) 远场发散角为8度及40度 T}Tp$.gB
若使用Source Diode W<{h,j8
虽然有两发散角(x-divergence y-divergence)可设定 ]Ee?6]bN
但其所建立的光源为一点光源 m~BAyk^jo3
若使用Source Two Angle,虽然可以设定光源初始面的大小、角度,但看手册上的说明其强度分布又好像是均匀? JBj]najN
至于Source Ellipse感觉又无法把已知的条件当做设定套入 _{ue8kGt
请求前辈们不吝指教 这问题困惑我半年了 THX ! Mc
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