请问各位前辈 #%#N.tB 5
已知LD条件为光源发射面为一椭圆面，长轴3 短轴1 (单位:micrometer) 远场发散角为8度及40度 ;DKJ#tS}"
若使用Source Diode mGF)Ot R
虽然有两发散角(x-divergence y-divergence)可设定 3e\IRF xzb
但其所建立的光源为一点光源 hwi_=-SL
若使用Source Two Angle，虽然可以设定光源初始面的大小、角度，但看手册上的说明其强度分布又好像是均匀? 0| =y#`;,Z
至于Source Ellipse感觉又无法把已知的条件当做设定套入 C?<-`$0
请求前辈们不吝指教 这问题困惑我半年了 THX ! `ooHABC
