请问各位前辈 /Pn.)Lxfl
已知LD条件为光源发射面为一椭圆面,长轴3 短轴1 (单位:micrometer) 远场发散角为8度及40度 <s/<b*T
^
若使用Source Diode :vK(LU0K
虽然有两发散角(x-divergence y-divergence)可设定 pSQCT
但其所建立的光源为一点光源 )W]>\=@Y
若使用Source Two Angle,虽然可以设定光源初始面的大小、角度,但看手册上的说明其强度分布又好像是均匀? 9G#8%[W
至于Source Ellipse感觉又无法把已知的条件当做设定套入 5BHOHw D{
请求前辈们不吝指教 这问题困惑我半年了 THX ! +Cf0Y2*@hM