请问各位前辈 W'd/dKUx
已知LD条件为光源发射面为一椭圆面,长轴3 短轴1 (单位:micrometer) 远场发散角为8度及40度 S8vx[ <
若使用Source Diode Jtpa@!M
虽然有两发散角(x-divergence y-divergence)可设定 0tSA|->(
但其所建立的光源为一点光源 FQQ@kP$.
若使用Source Two Angle,虽然可以设定光源初始面的大小、角度,但看手册上的说明其强度分布又好像是均匀? pB[%:w/@l:
至于Source Ellipse感觉又无法把已知的条件当做设定套入 7_1W:-A7W
请求前辈们不吝指教 这问题困惑我半年了 THX ! 4%%B0[Wo_O