请问各位前辈 \#I$H9O
已知LD条件为光源发射面为一椭圆面，长轴3 短轴1 (单位:micrometer) 远场发散角为8度及40度 lG94^|U
若使用Source Diode $$&.}}.,
虽然有两发散角(x-divergence y-divergence)可设定 fC*cqc~{@
但其所建立的光源为一点光源 `V\?YS}
若使用Source Two Angle，虽然可以设定光源初始面的大小、角度，但看手册上的说明其强度分布又好像是均匀? <EN9s
至于Source Ellipse感觉又无法把已知的条件当做设定套入 (4A'$O2
请求前辈们不吝指教 这问题困惑我半年了 THX ! DR:$urU$
