1. 建模任务 R\?!r4 1.1
模拟条件
MvFXVCT# 模拟区域:0~10
f^ qQ5N 边界条件:Periodic
RJM(+5xQ| 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
XF6=xD 单位长度:0.5
#$E
vybETx
L_|Y_=r." HY:n{=o 1.2堆栈
结构 `R^VK-=C eF@E|kK 2. 建模过程 k@'.d)y0` 2.1设置模拟条件
Ygb#U'|
:1Cc~+]w(u wd *Jq 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 wwz<c5 =%p{"< OoNAW< 2.3创建掩膜并生成多畴结构
r{_'2Z_i /^"TMm 3. 结果分析 'I2)-=ZL6 3.1 指向矢分布和透过率
YX(%jcj* Oc>-jhx? g@L4G?hLn 3.2所有畴的V-T曲线
;DTNw= PZ s I~I%z'"RQd 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
-h}J%UV