1. 建模任务 ?A4zIJ\ 1.1
模拟条件
=<yMB d\ 模拟区域:0~10
w ]8+
OP 边界条件:Periodic
Iw)}YZmn 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
H7{)"P]{f 单位长度:0.5
''t\J^+&
.|\}]O` k }amSsE 1.2堆栈
结构 /e/%mo !3O8B0K)v 2. 建模过程 Y~E
8z 2.1设置模拟条件
b|SDg%e
=VC"X ?N i}u,_
} 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 ,7HlYPec {5 V@O_*{ O*Gg57a 2.3创建掩膜并生成多畴结构
55Pe&V1= tQR qQ 3. 结果分析 E?v9c>c 3.1 指向矢分布和透过率
&`@S_YLr `!,"">5
2:5Go 3.2所有畴的V-T曲线
^(+ X|t V^* ];`^ s9# WkDR 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
"A(D}~i