1. 建模任务 `c(,_oa{ 1.1
模拟条件
Pm#B'N#*N| 模拟区域:0~10
dxUq5`#G, 边界条件:Periodic
Hx62x X 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
vA;ml$ 单位长度:0.5
:sk7`7v
xHZx5GJp9 leg@ia 1.2堆栈
结构 DU({Ncge q~_Nv5r%O 2. 建模过程 B`iQN7fd 2.1设置模拟条件
T{{J'
_s5L
V-O 49 Apa)qRJd 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 qs\
&C D0~ WK
stl [
C]=p 2.3创建掩膜并生成多畴结构
m/cbRuPWgP :-Ho5DHg 3. 结果分析 {ZY^tTsY 3.1 指向矢分布和透过率
wvp\'* $ Lk4&&5q -Z4J?b 3.2所有畴的V-T曲线
&gIu<*u< gE`G3kgn{ MS_&;2 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
#HJ F==