1. 建模任务 ]kO|kIs 1.1
模拟条件
tv:
mjS 模拟区域:0~10
PZ?kv 4 边界条件:Periodic
EDF0q i 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
,,ML^ey 单位长度:0.5
9}a&:QTHR
_E/ RfT)dS+rAh 1.2堆栈
结构 e:T9f(' $IdU 2. 建模过程 ,;<M+V3+ 2.1设置模拟条件
jTW8mWNk]
qT#NS&T!- 7>AMzNj 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 u?'J1\z i4M%{]G3Y l?L s=J* 2.3创建掩膜并生成多畴结构
s; sr(34
p
)WRsJ8 3. 结果分析 s'Qmrs
a 3.1 指向矢分布和透过率
v(,
tu/ "x
3C3Zu.; ]c6h'} 3.2所有畴的V-T曲线
2~V"[26t K=pG,[ChA z2#k/3%o= 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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