1. 建模任务 M;NX:mX9 1.1
模拟条件
HThcn1u~^b 模拟区域:0~10
7KPwQ?SjT 边界条件:Periodic
G`zm@QL 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
G
j1_!.T 单位长度:0.5
[Yyk0Qv|4
{)"vN(mX fV:83|eQ 1.2堆栈
结构 b\ PgVBf9 )i<j XZ:O 2. 建模过程 H[UlY?&+ 2.1设置模拟条件
2Hdu:"j
fatf*}eln `kr?j:g 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 &?vgP!d&M P_dJZ((X 6,uX,X5 2.3创建掩膜并生成多畴结构
3[&C g }i2V.tVB- 3. 结果分析 ]HdCt 3X 3.1 指向矢分布和透过率
q9NoI(]e T Ge_G_'o Ha#>G<;n 3.2所有畴的V-T曲线
2[CdZ(k]5 Hefg[$m +*^H#|! 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
1U\z5$V