1. 建模任务 ; :q 1.1
模拟条件
T_=WX_h $ 模拟区域:0~10
+xU( {/ 边界条件:Periodic
c-}[v<o 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
pMy:h
单位长度:0.5
=-X-${/
s.Bb@Jq 3l41"5Fy& 1.2堆栈
结构 3
V>$H\H <F;+A{M) 2. 建模过程 m&gB;g3: 2.1设置模拟条件
Rz|@BxB>n
Qni`k)4 Up'#OkTx 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 |*UB/8C^/! ZV+tHgzlv5 +kQ=2dva 2.3创建掩膜并生成多畴结构
H?8'( D9A%8[Yo 3. 结果分析 fFqYRK 3.1 指向矢分布和透过率
h]k$K 3Cc#{X-+ :S_]!'H 3.2所有畴的V-T曲线
c$71~|-[ 3B
'j?+A Y$\|rD^f 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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