1. 建模任务 X^c2 1.1
模拟条件
K]s*rPT/, 模拟区域:0~10
*Z:'jV< 边界条件:Periodic
5*P+c(= 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
@M_p3[c\ 单位长度:0.5
DSX.84
y3{F\K 9#iv|X 1.2堆栈
结构 gtVnn]Jh || 0n%"h>i 2. 建模过程 ey ; 94n:< 2.1设置模拟条件
| g[iK1
6Qh@lro;y rmh 1.W 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 G}8Zkz@+ M*n@djL$\~ k/]4L!/ T 2.3创建掩膜并生成多畴结构
6X`i*T$. r>Rm=eKJ 3. 结果分析 ?Q#yf8 3.1 指向矢分布和透过率
C0v1x=(xiM b`yb{&
,? 4/:}K>S_ 3.2所有畴的V-T曲线
ecIZ+G)k ^P p2T BfUM+RC%5 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
M`u&-6