1. 建模任务 ;X ,1I 1.1
模拟条件
}AZc8o- 模拟区域:0~10
Khh0*S8.K 边界条件:Periodic
nS()u}c;r 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
1B*WfP~ 单位长度:0.5
kF7(f|*
@?C#r.vgp s08u @ 1.2堆栈
结构 ~}Z\:#U ,n!vsIN 2. 建模过程 4E44Hzs 2.1设置模拟条件
"i:T+#i({O
s=?aox7 iAY!oZR(WT 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 {;2i.m1 %iJ%{{f` H7i$xWs 2.3创建掩膜并生成多畴结构
#6Xs.*b5C PLM _#+R> 3. 结果分析 HxK$ 4I` 3.1 指向矢分布和透过率
R`F,aIJ] R E1/"[t VC5_v62&. 3.2所有畴的V-T曲线
S{',QO*D6
2?Ye*- 5>9Y|UU 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
DN4#H`