1. 建模任务 Qv'x+GVW] 1.1
模拟条件
$B<:SuV# 模拟区域:0~10
bZAL~z+ V 边界条件:Periodic
j+3rS 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
G,B4=[Y 单位长度:0.5
SO STtuT
IC8%E3 ~:0w% 1.2堆栈
结构 zkqn>
f52P1V] 2. 建模过程 f9<" 2.1设置模拟条件
^A=tk!C
<I2ENo5? %,<Ki]F 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 '/X]96Ci7 Z1v~tqx I
S'Uuuz7g 2.3创建掩膜并生成多畴结构
#639N9a~ 7hu7rWY`E 3. 结果分析 FIVC~LDd 3.1 指向矢分布和透过率
:?y Ma$ Fsx<Sa Wi!"Vcn 3.2所有畴的V-T曲线
.oLV\'HAR P,3w
b |Ox='.oIb 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
4 83rU