1. 建模任务 V PLCic,T 1.1
模拟条件
xPn'yo 模拟区域:0~10
7Y_fF1-wY 边界条件:Periodic
i_jax)m% 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
HL}sqcp 单位长度:0.5
?-RoqF
8VAYIxRv D-2v>l_ 1.2堆栈
结构 yP1Y3Tga= %O4}i@Fe 2. 建模过程 E<98ahZ?l 2.1设置模拟条件
@?^LxqAWA
d-#u/{jG) D~i@. k 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 Wzf1-0t ~T p8>bmSR qD=m{O8%_ 2.3创建掩膜并生成多畴结构
6|"!sW`%N b[&,%Sm+6 3. 结果分析 U`8^N.Snrp 3.1 指向矢分布和透过率
9 z8<[> 7/U<\(V!g N8MlT \+r 3.2所有畴的V-T曲线
3Q!J9t5dc q|]0on~] +{=_|3( 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
n.)[MC}