1. 建模任务 jzvK;*N 1.1
模拟条件
l![M,8 模拟区域:0~10
%wD#[<BGn> 边界条件:Periodic
6(|mdk`i 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
AbU`wr/h 4 单位长度:0.5
Iil2R}1
Xz]l#w4Pp -oD,F
$Rb 1.2堆栈
结构 s"L&y <?) &lc@]y8 2. 建模过程 OqGp|` 2.1设置模拟条件
sA0Ho6
:4AQhn^;" rcnH ^P 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 PZ[-a-p40 6:1`lsP 5hs_k[q 2.3创建掩膜并生成多畴结构
$KcAB0 B8 t]c<HDCK 3. 结果分析 t@KTiJI
] 3.1 指向矢分布和透过率
a=S &r1s> ^Z (cVg Zy0M\-Mn 3.2所有畴的V-T曲线
2:LUB)&i
D2e-b Y A.&ap 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
]+lT*6P*