1. 建模任务 *,-YWx4 1.1
模拟条件
mc$c!Ax* 模拟区域:0~10
(I~,&aBr 边界条件:Periodic
)sS<%Xf 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
v}Aw!Dv/ 单位长度:0.5
Zz3#Kt5t3
?<LG(WY )v-* Wr eS 1.2堆栈
结构 (wY%$kW4 rP\7C+ 2. 建模过程 =0]Mc$Ih 2.1设置模拟条件
YHRI U Yd
\A~
'& 2\5@_U^)h 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 F#<PFT4i +`4}bc,G B6pz1P?e} 2.3创建掩膜并生成多畴结构
bA^a@ lv a fVN}7PH7+ 3. 结果分析 '
R@<4Ib| 3.1 指向矢分布和透过率
(7wR*vO^ AeJM[fCMa 1Ev+':% 3.2所有畴的V-T曲线
RYhdf bn(Scl#@K Sd\@Q%
}o\ 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
0$_imjZ