1. 建模任务 HTfHAc?W 1.1
模拟条件
AGxtmBB; 模拟区域:0~10
N
=k}"2_= 边界条件:Periodic
.QwwGm 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
8#NI`s* 单位长度:0.5
[(%6]L}
}B-@lbK6) ohI>\ 1.2堆栈
结构 =P* YwLb uU_0t;oR3 2. 建模过程 @y)'h]d 2.1设置模拟条件
#g)$m}tv?
< 0S+[7S" PQ}q5?N 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 b{:c0z< \>8r)xC fT7Z6$ 2.3创建掩膜并生成多畴结构
ym>>5 (bni mFL"h 3. 结果分析 Mi|PhDXMh 3.1 指向矢分布和透过率
t:pgw[UJ K YSyz)M} z|';Y!kQ 3.2所有畴的V-T曲线
U g'y j%|#8oV <<xUh|zE 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
s)?=4zJ