1. 建模任务 V=,VOw4 1.1
模拟条件
hVAP
) "5 模拟区域:0~10
` E2@GX+, 边界条件:Periodic
TZ,kmk# 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
>b.wk3g@> 单位长度:0.5
\y
G//
ITu6m<V K;wd2/jmJ 1.2堆栈
结构 )Ekp <2B:0 nUL8*#p- 2. 建模过程 iYJzSVO 2.1设置模拟条件
.l->O-=
{)QSxO i$A0_ZJKjZ 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 dm&vLQVS ;*Cu >f7 q{W@J0U 2.3创建掩膜并生成多畴结构
mGmkeD' Nuw_,-h 3. 结果分析 2Rp5 E^s 3.1 指向矢分布和透过率
y0R5YCq\":
j'V# =vH t6u01r{~` 3.2所有畴的V-T曲线
;@$B{/Q <XV\8Y+n XD8MF)$9 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
vbeYe2;(