1. 建模任务 NVv
<vu 1.1
模拟条件
C!5A,| DX 模拟区域:0~10
;3cbXc@] 边界条件:Periodic
eA4:]A" 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
[#Y
L_*p 单位长度:0.5
`3rwqcxA
w'H'o!*/ INi$-Y+ 1.2堆栈
结构 c}o 6Rm50 D9oNYF-V 2. 建模过程 h4pS~/ 2.1设置模拟条件
|q77
J;0;oXwJ< ccuGM W G* 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 x"12$ 79= :x\[aG9 ]^~}/@ 2.3创建掩膜并生成多畴结构
+'?Qph6o,7 .*zS2z 3. 结果分析 JnBUW" 3.1 指向矢分布和透过率
nHm}^.B*+ lnZ{Ryo( LlQsc{Ddf 3.2所有畴的V-T曲线
YvU%OO-+, ~wb1sn3 fc9;ZX7 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
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