1. 建模任务 SE=3`rVJ 1.1
模拟条件
smEKQHB 模拟区域:0~10
'`g#Zo 边界条件:Periodic
=ML6"jr 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
.]+Z<5Fo 单位长度:0.5
:A%|'HxH3
q{/>hvl d<mj=V@bd 1.2堆栈
结构 k$`~,LJ p L~N<<8?\ 2. 建模过程 =C{)i@ + 2.1设置模拟条件
8
1; QF_C
2\h]*x%: 6u>${} 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 S#+Dfa`8X nbM[?=WS [gm[mwZ 2.3创建掩膜并生成多畴结构
EVc
Ees bqEQP3t^ 3. 结果分析 C.I.f9s?R 3.1 指向矢分布和透过率
c>+l3&` ;ru=z@ .6Jo1$+ 3.2所有畴的V-T曲线
HO ,z[6 g{K*EL< ]i'hCa $$ 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
\6A-eWIQif