1. 建模任务 4E4o=Z|K 1.1
模拟条件
8f,jC+( 模拟区域:0~10
uAzVa!) 边界条件:Periodic
n+zXt?{u 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
%E1~I\n:F 单位长度:0.5
?U|~h1
V QPq+78 iA^w2K 1.2堆栈
结构 C1p
|.L?m &HFMF)NA 2. 建模过程 ' AeU 2.1设置模拟条件
l:+tl/
FX}<F0([? F`Q,pBl1p6 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数
H.Jcp|k[; tjDVU7um =:~~RqHl 2.3创建掩膜并生成多畴结构
.a=M@;p b\=0[kBQw 3. 结果分析 Ug_zyfr 3.1 指向矢分布和透过率
T:;e 73 Pl1:d{"d U%gP2]t%cs 3.2所有畴的V-T曲线
WgE~H)_% O(&EnNm[2 YI%7#L7C 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
JFYeOmR+l