1. 建模任务 1eI_F8I U 1.1
模拟条件
@6H 7 模拟区域:0~10
LXf|n 边界条件:Periodic
j)#GoU=w 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
Uv!VzkPfo 单位长度:0.5
\9]-(j6[H
~Jlq.S' ^[Y/ +Q.J 1.2堆栈
结构 -cP1,>Ahv r"dR}S.Uf 2. 建模过程 X=Jt4 h9 2.1设置模拟条件
x|g2H.n
hbs /S `)TgGny01 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 g-cg3Vso vILgM\or 'a"Uw"/p[ 2.3创建掩膜并生成多畴结构
q XB E3 qf{HGn_9~1 3. 结果分析 '30JJ0 3.1 指向矢分布和透过率
SME]C ')7
#p-\Y7f gOy{ RE 3.2所有畴的V-T曲线
+R"n_6N BJ{?S{"6%G l)V646-O,~ 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
*E-MJCv