1. 建模任务 V+@%(x@D_ 1.1
模拟条件
3T.M?UG> 模拟区域:0~10
&xMJ^Nv 边界条件:Periodic
6@Z'fT4 偏移
角度:12°(Domain A),-12°(Domain B)
U{:(j5m 单位长度:0.5
")[Q4H;V
E]U3O>hf H--*[3". 1.2堆栈
结构 =-s20mdj >stVsFdV) 2. 建模过程 6pdl,5[x- 2.1设置模拟条件
I}]@e^ ~
3I{ta/( $y]||tX 2.2创建堆栈结构,修改各层
参数 { ves@p>? &s}@7htE "}~i7NBB 2.3创建掩膜并生成多畴结构
?U9d3] W ff5
Lwf{{ 3. 结果分析 g,GbaaXH 3.1 指向矢分布和透过率
7)6Yfa]I% 6/WK((Fd Pk?%PB?Z 3.2所有畴的V-T曲线
SYW=L g:3'x/a1 1&dsQ,VDl 3.3不同电压透过率图,为了方便查看,对每一个电压下的图例范围都初始化,请注意图例颜色轴的范围
G]NtX4'4